[發明專利]包含非易失性存儲器設備和控制器的存儲設備

有效

• 申請號: 201710521176.5
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN107564562B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 李熙元;高莎麗;盧承京;權成南
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C8/14
• 分類號: G11C8/14;G11C8/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

存儲設備包括非易失性存儲器設備和控制器。非易失性存儲器設備包括多個存儲塊，多個存儲塊中的每個包括存儲單元?？刂破髟谧x取操作期間從自存儲塊中所選擇的存儲塊的選擇的存儲單元讀取數據。該選擇的存儲單元對應于被選擇作為讀取目標的字線和串選擇線兩者。控制器將讀取計數增加對應于選擇的存儲塊的選擇的字線和串選擇線的讀取權重，并且如果讀取計數達到閾值，則對選擇的存儲單元執行刷新操作。在選擇的存儲塊中，根據串選擇線和字線的位置分配兩個或更多個讀取權重。

相關申請的交叉引用

本專利申請要求于2016年6月30日向韓國知識產權局提交的第10-2016-0082774號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的全部內容通過引用并入于此。

技術領域

本公開涉及半導體存儲器。更具體地，本公開涉及包括非易失性存儲器設備和控制器的存儲設備。

背景技術

存儲設備是指在諸如計算機、智能電話和智能平板的主機設備的控制下存儲數據的設備。存儲設備包括將數據存儲在諸如硬盤驅動(HDD)的磁盤上的設備，或者將數據存儲在諸如固態驅動(SSD)或存儲卡的半導體存儲器(特別是非易失性存儲器)上的設備。

非易失性存儲器包括只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、閃速存儲器設備、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、鐵電RAM(FRAM)等。

隨著半導體制造技術的發展，存儲設備的容量增加。此外，隨著半導體制造技術的發展，存儲設備的集成度持續增加。存儲設備的高集成度使得能夠降低制造存儲設備所需的成本。然而，存儲設備的高集成度導致存儲設備的規?？s小(scale down)和結構改變。因此，在高集成度下出現各種新問題。

發明內容

本公開的實施例提供了具有改進的速度和可靠性的存儲設備。

根據實施例的方面，存儲設備包括非易失性存儲器設備和控制器。非易失性存儲器設備包括多個存儲塊，多個存儲塊中的每個包括連接到多個串選擇線的串選擇晶體管，連接到多個接地選擇線的接地選擇晶體管和連接到多個字線的存儲單元。控制器在讀取操作期間從自多個存儲塊中選擇的存儲塊的選擇的存儲單元讀取數據。選擇的存儲單元對應于被選擇作為讀取目標的字線和串選擇線兩者?？刂破鲗⒆x取計數增加對應于選擇的存儲塊的選擇的字線和串選擇線的讀取權重，并且如果讀取計數達到閾值，則對選擇的存儲單元執行刷新操作。在選擇的存儲塊中，根據串選擇線和字線的位置分配兩個或更多個讀取權重。

根據實施例的另一方面，存儲設備包括非易失性存儲器設備和控制器。非易失性存儲器設備包括多個存儲塊。每個存儲塊包括在與基底垂直的方向上堆疊的并且與多個字線連接的多個存儲單元。在讀取操作期間，控制器讀取從寫入選擇的存儲單元中的多個頁面數據選擇的頁面數據，該選擇的存儲單元對應于讀取目標的選擇的存儲塊的選擇的字線?？刂破鲗⒆x取計數增加對應于選擇的存儲塊的選擇的字線和選擇的頁面數據的讀取權重，并且如果讀取計數達到閾值，則對選擇的存儲塊執行刷新操作。在選擇的存儲塊中，根據多個頁面數據和字線的位置分配兩個或更多個讀權重。

根據實施例的另一方面，存儲設備包括非易失性存儲器設備和控制器。非易失性存儲器設備包括多個存儲塊。每個存儲塊包括在與基底垂直的方向上堆疊的并且與多個字線連接的多個存儲單元。在讀取操作期間，控制器從自存儲塊選擇的存儲塊的選擇的存儲單元讀取數據。存儲單元對應于被選擇作為讀取目標的字線。控制器將讀取計數增加對應于選擇的存儲塊的選擇的字線的讀取權重，并且如果讀取計數達到閾值，則對選擇的存儲塊執行刷新操作。在選擇的存儲塊中，隨著選擇的存儲單元和基底之間的距離增加，控制器降低讀取權重。

附圖說明

上述和其它目的和特征將根據參考以下附圖的以下描述而變得明顯，在附圖中除非另有說明，否則相同的附圖標記貫穿各個附圖指代相同的部件，以及在附圖中：