[發明專利]一種發光二極管的外延片及其制備方法

有效

• 申請號: 201710520370.1
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN107359228B
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 武艷萍
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管的外延片，其特征在于，所述外延片包括襯底和依次層疊在所述襯底上的緩沖層、u型GaN層、n型GaN層、應力釋放層、有源層和p型GaN層，其中，所述應力釋放層包括交替層疊設置的多層In_xGa_(1-x)N層和多層n型Al_yGa_(1-y)N層，且所述多層In_xGa_(1-x)N層中的In的組分含量逐層增加，所述有源層包括交替層疊設置的多層In_mGa_(1-m)N阱層和多層GaN壘層，其中0<m<x＜1，0＜y＜0.5，所述多層n型Al_yGa_(1-y)N層的Al的組分含量沿所述外延片的層疊方向變化。

2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述In_xGa_(1-x)N層的厚度大于所述n型Al_yGa_(1-y)N層的厚度。

3.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述In_xGa_(1-x)N層的厚度為30～100nm。

4.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，應力釋放層的總厚度為300～500nm。

5.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述n型Al_yGa_(1-y)N層的摻雜濃度為1E19cm^-3～1E20cm^-3。

6.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述In_xGa_(1-x)N層和所述n型Al_yGa_(1-y)N層交替層疊的周期數為3～10。

7.一種發光二極管的外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長緩沖層、u型GaN層、n型GaN層、應力釋放層、有源層和p型GaN層，其中，所述應力釋放層包括交替層疊設置的多層In_xGa_(1-x)N層和多層n型Al_yGa_(1-y)N層，且所述多層In_xGa_(1-x)N層中的In的組分含量逐層增加，所述有源層包括交替層疊設置的多層In_mGa_(1-m)N阱層和多層GaN壘層，其中0<m<x＜1，0＜y＜0.5，所述多層n型Al_yGa_(1-y)N層的Al的組分含量沿所述外延片的層疊方向變化。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述應力釋放層的生長溫度為800℃～900℃。

9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述應力釋放層的生長壓力為300～400mbar。