[發(fā)明專利]一種近紅外VCSEL激光器的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710519191.6 | 申請日： | 2017-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN107093841A | 公開（公告）日： | 2017-08-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張永 | 申請（專利權(quán)）人： | 張永 |
| 主分類號： | H01S5/34 | 分類號： | H01S5/34;H01S5/183;H01S5/32 |
| 代理公司： | 蘇州翔遠專利代理事務(wù)所(普通合伙)32251 | 代理人： | 劉計成 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 紅外 vcsel 激光器 外延 結(jié)構(gòu) 及其 制備 方法 | ||
1.一種近紅外VCSEL激光器的外延結(jié)構(gòu)，包括GaAs襯底（01），在GaAs襯底（01）上依次沉積有GaAs 緩沖層（02）、N型摻雜的DBR（ 03）、有源層（04）、氧化限制層（05）、P型摻雜的DBR（ 06）和歐姆接觸層（07），所述有源層（04）由下向上依次包括限制層（10），波導(dǎo)層（11）、量子阱（12）、對稱波導(dǎo)層（13）和對稱限制層（14），所述量子阱（12）由多組量子阱層組成，其特征在于：相鄰兩組量子阱層之間設(shè)有厚壘層，所述厚壘層的厚度為大于50nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外VCSEL激光器的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述厚壘層的厚度為50-100nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外VCSEL激光器的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述量子阱（12）內(nèi)插有1-5層厚壘層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外VCSEL激光器的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述量子阱（12）中量子阱層的阱厚度為3nm，壘厚度為6nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的近紅外VCSEL激光器的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述量子阱（12）包括第一量子阱層（121）、第一厚壘層（122）、第二量子阱層（123）、第二厚壘層（124）及第三量子阱層（125），所述第一量子阱層（121）包括兩組3nmIn0.12Ga0.88As阱、6nm的Al0.10Ga0.90As 壘，所述第一厚壘層（122）包括100nm的Al0.10Ga0.90As 壘，所述第二量子阱層（123）包括3nmIn0.12Ga0.88As阱、6nm的Al0.10Ga0.90As 壘、3nmIn0.12Ga0.88As阱，所述第二厚壘層（124）包括100nm的Al0.10Ga0.90As 壘，所述第三量子阱層（125）包括兩組3nmIn0.12Ga0.88As阱、6nm的Al0.10Ga0.90As 壘。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的近紅外VCSEL激光器的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述量子阱（12）包括第一量子阱層（1210）、第一厚壘層（1220）、第二量子阱層（1230）、第二厚壘層（1240）及第三量子阱層（1250），所述第一量子阱層（1210）包括3nmIn0.12Ga0.88As阱、6nm的Al0.10Ga0.90As 壘、3nmIn0.12Ga0.88As阱，所述第一厚壘層（1220）包括100nm的Al0.10Ga0.90As 壘，所述第二量子阱層（1230）包括3nmIn0.12Ga0.88As阱、6nm的Al0.10Ga0.90As壘、3nmIn0.12Ga0.88As阱、6nm的Al0.10Ga0.90As壘、3nmIn0.12Ga0.88As阱，所述第二厚壘層（1240）包括100nm的Al0.10Ga0.90As 壘，所述第三量子阱層（1250）包括包括3nmIn0.12Ga0.88As阱、6nm的Al0.10Ga0.90As 壘、3nmIn0.12Ga0.88As阱。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外VCSEL激光器的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：GaAs襯底需要具有7-15度的偏向角。
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