[發明專利]一種導熱絕緣硅橡膠復合材料的制備方法

在審

• 申請號: 201710518588.3
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN109206916A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 詹浩
• 申請（專利權）人: 中綠新材料（江蘇）有限公司
• 主分類號: C08L83/07
• 分類號: C08L83/07;C08K3/38;C08K7/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種導熱絕緣硅橡膠復合材料的制備方法，包括采用片狀六方氮化硼(h?BN)填充甲基乙烯基硅橡膠基體，具有較好的導熱性;且經改性后的片狀六方氮化硼(h?BN)與硅橡膠有良好的相容性且能均勻分布；隨著片狀六方氮化硼(h?BN)填充份數的增加硅橡膠的導熱系數隨之增加,但同樣也降低硅橡膠的力學性能與介電性能,但影響較小；橡膠加工分析儀(RPA2000)測試表明:不同份數填料填充硅橡膠其硫化性能也隨之改變，對提高硅橡膠復合材料的熱導率具有明顯效果。

技術領域

本發明涉及橡膠技術領域，具體為一種導熱絕緣硅橡膠復合材料的制備方法。

背景技術

現有隨著電子電器元器件的集成化程度越來越高,電子元器件的工作環境溫度急劇上升,電子元器件溫度每升高2℃,其可靠性下降10%,因此散熱好壞成為保證電子設備性能與可靠性的重要因素。甲基乙烯基硅橡膠(MVQ)是一類可耐高,低溫的硅橡膠,在-50~250℃下可長期使用且電絕緣性能優異但其導熱性能較差。

發明內容

本發明的目的在于提供一種導熱絕緣硅橡膠復合材料的制備方法，以解決上述背景技術中提出的現有的電絕緣性能較差的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案，一種導熱絕緣硅橡膠復合材料的制備方法，包括采用片狀六方氮化硼(h-BN)填充甲基乙烯基硅橡膠基體，取經改性后的片狀六方氮化硼(h-BN)作為導熱填料由于片狀六方氮化硼(h-BN)具有較大的比表面積,更易形成導熱通路。

優選的，所述片狀六方氮化硼(h-BN)填充甲基乙烯基硅橡膠基體。

優選的，所述片狀六方氮化硼(h-BN)作為導熱填料由于片狀六方氮化硼(h-BN)具有較大的比表面積。

優選的，所述片狀六方氮化硼(h-BN)與硅橡膠有良好的相容性且能均勻分布。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：該導熱絕緣硅橡膠復合材料的制備方法因其導熱填料通過理論計算,選擇性分布于EVA相中;改變MVQ與EVA的配比,合適配比的MVQ/EVA共混基體呈現兩相連續,導熱填料選擇性分布于EVA相中,提高了導熱填料的有效濃度,對提高硅橡膠復合材料的熱導率具有明顯效果。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的制備工藝，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

本發明提供一種技術方案：一種導熱絕緣硅橡膠復合材料的制備方法，包括采用片狀六方氮化硼(h-BN)填充甲基乙烯基硅橡膠基體，取經改性后的片狀六方氮化硼(h-BN)作為導熱填料由于片狀六方氮化硼(h-BN)具有較大的比表面積,更易形成導熱通路。

制備方法：該導熱絕緣硅橡膠復合材料的制備方法時，采用片狀六方氮化硼(h-BN)填充甲基乙烯基硅橡膠基體，取經改性后的片狀六方氮化硼(h-BN)作為導熱填料由于片狀六方氮化硼(h-BN)具有較大的比表面積,更易形成導熱通路,從而使其具有較好的導熱性;且經改性后的片狀六方氮化硼(h-BN)與硅橡膠有良好的相容性且能均勻分布。

盡管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，對于本領域的技術人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換,凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。