[發(fā)明專利]具有電磁屏蔽性能的硫系光學(xué)元件及其制備方法

有效

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• 申請日: 2017-06-29
• 公開（公告）號: CN107144899B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邱陽;陳瑋;金揚利;祖成奎;韓濱;徐博
• 申請（專利權(quán)）人: 中國建筑材料科學(xué)研究總院
• 主分類號: G02B1/113
• 分類號: G02B1/113;G02B1/111;G02B1/10;G02B1/00
• 代理公司: 北京鼎佳達知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11348
• 代理人: 王偉鋒;劉鐵生

1.一種具有電磁屏蔽性能的硫系光學(xué)元件的制備方法，其特征在于：其包括以下步驟:

(1)在硫系光學(xué)元件基層表面鍍無機膜層；所述的無機膜層的材料為SiO₂、Al₂O₃或HfO₂；所述的無機膜層的材料為SiO₂時，無機膜層的厚度為5-30nm；所述的無機膜層的材料為Al₂O₃時，無機膜層的厚度為10-25nm；所述的無機膜層的材料為HfO₂時，無機膜層的厚度為10-30nm；

(2)在所述的無機膜層表面噴涂有機涂層；

(3)將石墨烯透紅外電磁屏蔽膜轉(zhuǎn)移至所述的有機涂層的表面，得到具有電磁屏蔽性能的硫系光學(xué)元件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有電磁屏蔽性能的硫系光學(xué)元件的制備方法，其特征在于，所述的無機膜層的鍍膜方式為電子束蒸發(fā)或射頻磁控濺射法；所述的無機膜層的鍍膜步驟包括：鍍膜時本底真空度小于8×10^-4Pa，鍍膜前打開烘烤燈將硫系玻璃鍍件基層表面加熱至50-100℃并保溫20-30min，打開離子源用Ar⁺離子對硫系光學(xué)元件表面清洗，打開電子槍在硫系玻璃鍍件基層表面對無機膜層的材料進行蒸鍍；所述的有機涂層的噴涂步驟包括：將有機涂層的材料與固化劑混合，攪拌，真空排泡，然后噴涂于無機膜層表面上，其中有機涂層的材料與固化劑的體積比為25-35：1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有電磁屏蔽性能的硫系光學(xué)元件的制備方法，其特征在于，步驟(3)中利用濕法刻蝕工藝將石墨烯透紅外電磁屏蔽膜轉(zhuǎn)移至所述的有機涂層的表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有電磁屏蔽性能的硫系光學(xué)元件的制備方法，其特征在于，所述的有機涂層的材料為聚酰亞胺樹脂或有機硅樹脂；所述的石墨烯透紅外電磁屏蔽膜為制備在銅箔上的低缺陷石墨烯薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有電磁屏蔽性能的硫系光學(xué)元件的制備方法，其特征在于，所述的有機涂層為聚酰亞胺樹脂時，有機涂層的厚度為6-12μm；所述的有機涂層為有機硅樹脂時，有機涂層的厚度為8-12μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有電磁屏蔽性能的硫系光學(xué)元件的制備方法，其特征在于，轉(zhuǎn)移的所述石墨烯透紅外電磁屏蔽膜的層數(shù)為3-10層。

7.一種具有電磁屏蔽性能的硫系光學(xué)元件，其特征在于：其包括：

硫系光學(xué)元件基層；

無機膜層，附著在所述的基層上；所述的無機膜層的材料為SiO₂、Al₂O₃或HfO₂；所述的無機膜層的材料為SiO₂時，無機膜層的厚度為5-30nm；所述的無機膜層的材料為Al₂O₃時，無機膜層的厚度為10-25nm；所述的無機膜層的材料為HfO₂時，無機膜層的厚度為10-30nm；

有機涂層，附著在所述的無機膜層上；

石墨烯透紅外電磁屏蔽膜，附著在所述的有機涂層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電磁屏蔽性能的硫系光學(xué)元件，其特征在于，所述的有機涂層的材料為聚酰亞胺樹脂或有機硅樹脂；所述的石墨烯透紅外電磁屏蔽膜為制備在銅箔上的低缺陷石墨烯薄膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有電磁屏蔽性能的硫系光學(xué)元件，其特征在于，所述的有機涂層為聚酰亞胺樹脂時，有機涂層的厚度為6-12μm；所述的有機涂層為有機硅樹脂時，有機涂層的厚度為8-12μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電磁屏蔽性能的硫系光學(xué)元件，其特征在于，所述的石墨烯透紅外電磁屏蔽膜的層數(shù)為3-10層。