[發明專利]一種拓撲絕緣體材料的制備方法在審

申請號：	201710517726.6	申請日：	2017-06-29
公開（公告）號：	CN109208080A	公開（公告）日：	2019-01-15
發明（設計）人：	趙莉民	申請（專利權）人：	久耀電子科技（江蘇）有限公司
主分類號：	C30B29/46	分類號：	C30B29/46;C30B29/64;C30B23/00;H01B13/00;B82Y40/00
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	223121 江蘇***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	石墨烯拓撲絕緣體材料制備納米片蒸發源化學氣相沉積橫向生長納米結構生長緩沖層振動峰襯底紅移濕法銅箔合成并用保證
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【權利要求書】：

1.一種拓撲絕緣體材料的制備方法，包括在蒸發源Bi2Se3粉末中加入Se粉末，蒸發源中加入Se粉末提高了Bi2Se3的結晶質量，有利于Bi2Se3納米結構的橫向生長，而且保證了Se與Bi的原子比例更接近標準值1.4，通過化學氣相沉積法在銅箔上生長石墨烯，并用濕法轉移石墨烯到SiO2襯底上，利用石墨烯作為緩沖層來合成Bi2Se3。

2.根據權利要求1所述的一種拓撲絕緣體材料的制備方法，其特征在于：所述的蒸發源Bi2Se3粉末中加入Se粉末。

3.根據權利要求1所述的一種拓撲絕緣體材料的制備方法，其特征在于：所述的e與Bi的原子比例更接近標準值1.4。

4.根據權利要求1所述的一種拓撲絕緣體材料的制備方法，其特征在于：所述的石墨烯作為緩沖層來合成Bi2Se3。

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