[發明專利]一種選擇性光電催化氧化去除阿特拉津的方法

在審

• 申請號: 201710516704.8
• 申請日: 2017-06-29
• 公開（公告）號: CN107200383A
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: 史慧杰;王英玲;黃雪融;趙國華
• 申請（專利權）人: 同濟大學
• 主分類號: C02F1/461
• 分類號: C02F1/461;C02F1/467;C02F1/72
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司31225
• 代理人: 陳亮

1.一種選擇性光電催化氧化去除阿特拉津的方法，其特征在于，該方法以溶劑蒸發誘導自組裝并結合分子印跡的方法制備得到的分子印跡介孔二氧化鈦電極為工作電極，以鉑片電極為對電極，飽和甘汞電極(SCE)為參比電極，高壓氙燈為激發光源，保持工作電極與對電極的間距為1-3cm，在施加偏壓的條件下，對電解池內含有支持電解質的水溶液中的阿特拉津進行光電催化氧化去除。

2.根據權利要求1所述的一種選擇性光電催化氧化去除阿特拉津的方法，其特征在于，施加的偏壓為0.6-1.4V。

3.根據權利要求1所述的一種選擇性光電催化氧化去除阿特拉津的方法，其特征在于，所述的電解池利用恒溫水浴裝置使反應體系溫度保持在25-30℃，光強密度130-170mW/cm²。

4.根據權利要求1所述的一種選擇性光電催化氧化去除阿特拉津的方法，其特征在于，所述的分子印跡介孔二氧化鈦電極采用以下方法制備得到：

(1)將切割好的鈦板先后用180^#、320^#、600^#、金相砂紙打磨，直至表面光滑，無劃痕，用蒸餾水將打磨好的鈦板洗凈，之后依次用蒸餾水、乙醇、丙酮超聲清洗至表面清潔，最后將洗凈的鈦板放入100℃10wt％草酸溶液，保持20～30min，取出并用蒸餾水沖洗干凈，氮氣吹干備用；

(2)將P123和阿特拉津溶解在乙醇中，室溫攪拌0.5～1h，保證P123和阿特拉津充分作用，向其中滴加入37wt％的鹽酸和鈦酸四丁酯，室溫攪拌1.5～3h得到溶膠溶液；

(3)將配制好的溶膠溶液通過浸漬提拉的方式負載在處理好的鈦板上，然后將制備好的電極在室溫條件下放置12～24h；

(4)將制備好的光電催化電極在管式爐中采用程序升溫的方式進行熱處理，獲得分子印跡介孔二氧化鈦電極。

5.根據權利要求4所述的一種選擇性光電催化氧化去除阿特拉津的方法，其特征在于，步驟(2)中P123和阿特拉津的摩爾比為1：1.4～1：1.6，鹽酸和鈦酸四丁酯的摩爾比為1：1.7～1：2。

6.根據權利要求4所述的一種選擇性光電催化氧化去除阿特拉津的方法，其特征在于，步驟(3)中浸漬提拉時控制上升速度為2000-3000μm/s，下降速度為2000-3000μm/s，電極在溶液中的停留時間為5～10min。

7.根據權利要求4所述的一種選擇性光電催化氧化去除阿特拉津的方法，其特征在于，步驟(4)中熱處理通過0.5～3℃/min的升溫速率升至450～550℃熱處理1～3h。

8.根據權利要求1所述的一種選擇性光電催化氧化去除阿特拉津的方法，其特征在于，所述的水溶液為濃度為10mg L^-1的阿特拉津溶液，支持電解質為0.1mol L^-1Na₂SO₄溶液。

9.根據權利要求1所述的一種選擇性光電催化氧化去除阿特拉津的方法，其特征在于，所述的水溶液為阿特拉津和干擾物2，4-D的濃度均為10mg L^-1的溶液，支持電解質為0.1mol L^-1Na₂SO₄溶液。

10.根據權利要求1所述的一種選擇性光電催化氧化去除阿特拉津的方法，其特征在于，所述的水溶液為實際廢水，COD為30～40ppm，目標污染阿特拉津2～3ppm，支持電解質為0.1mol L^-1Na₂SO₄溶液。