[發明專利]集成離子注入工藝的紅外傳感器的制備方法

有效

• 申請號: 201710516643.5
• 申請日: 2017-06-29
• 公開（公告）號: CN107256896B
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發明（設計）人: 康曉旭
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/101;H01L31/20
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

1.一種紅外傳感器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟01：在一互連層上形成非晶硅層；

步驟02：在非晶硅層中刻蝕出支撐孔；

步驟03：對支撐孔之外的非晶硅層表面進行第一次離子注入，形成頂部釋放保護層；其中，頂部釋放保護層表面保留有一層非晶硅層；

步驟04：對支撐孔側壁進行第二次離子注入，形成側壁釋放保護層；其中，側壁釋放保護層表面保留有一層非晶硅層；

步驟05：在頂部釋放保護層和側壁釋放保護層表面進行第三次離子注入，形成敏感材料層；其中，第三次離子注入到頂部釋放保護層表面所保留的非晶硅層中以及注入到側壁釋放保護層表面所保留的非晶硅層中，從而使頂部釋放保護層表面所保留的非晶硅層以及側壁釋放保護層表面所保留的非晶硅層形成敏感材料層；

步驟06：在敏感材料層表面以及支撐孔底部暴露的互連層表面形成電極層，并圖案化電極層，形成電極層圖案。

2.根據權利要求1所述的紅外傳感器的制備方法，其特征在于，所述步驟03中，第一次離子注入采用氧離子注入，形成頂部二氧化硅釋放保護層。

3.根據權利要求2所述的紅外傳感器的制備方法，其特征在于，第一次離子注入采用垂直于非晶硅層表面的注入角度。

4.根據權利要求1所述的紅外傳感器的制備方法，其特征在于，所述步驟04中，第二次離子注入采用氧離子注入，形成側壁二氧化硅釋放保護層。

5.根據權利要求4所述的紅外傳感器的制備方法，其特征在于，第二次離子注入采用傾斜離子注入。

6.根據權利要求5所述的紅外傳感器的制備方法，其特征在于，第二次離子注入角度為30～60°。

7.根據權利要求1所述的紅外傳感器的制備方法，其特征在于，所述步驟05中，第三次離子注入采用P型摻雜離子。

8.根據權利要求1所述的紅外傳感器的制備方法，其特征在于，所述步驟04之后且在所述步驟05之前，還包括：對頂部釋放保護層和側壁釋放保護層進行退火。