[發明專利]團簇離子注入的系統、大原子基團形成方法和超淺結制備方法有效
| 申請號： | 201710515940.8 | 申請日： | 2017-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN107195522B | 公開（公告）日： | 2021-04-30 |
| 發明（設計）人： | 康曉旭 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/317 | 分類號： | H01J37/317;H01J37/08;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;陳慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離子 注入 系統 原子 基團 形成 方法 超淺結 制備 | ||
1.一種團簇離子注入的系統，其特征在于，包括：
離子源發生腔，所述離子源發生腔包括離子源，所述離子源采用直流高壓放電生成等離子體，所述等離子體包括離子、電子、原子、分子，其中部分等離子體經磁場引出到靶材腔；
靶材腔，從離子源發生腔出來的部分等離子體經磁場進入靶材腔，并采用電場加速轟擊靶材，從靶材中轟擊出的靶材原子與所述等離子體包括的原子相互碰撞，生成大原子團；
基團增大腔，從靶材腔出來的大原子團進入基團增大腔中，同時，從離子源發生腔出來的部分等離子體經磁場進入基團增大腔，并且所述等離子體包括的電子在基團增大腔中做螺旋式運動來撞擊從靶材腔出來的大原子團使其帶電，從而增加帶電大原子團的占比；
磁場分析腔，從基團增大腔出來的帶電大原子團進入磁場分析腔，進行荷質比篩選，選擇所需荷質比的帶電大原子團。
2.根據權利要求1所述的系統，其特征在于，所述靶材傾斜放置或者呈內圓錐形放置。
3.一種大原子基團形成方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟01：包括離子源的離子源發生腔采用直流高壓放電來生成等離子體，所述等離子體包括離子、電子、原子、分子，其中部分等離子體經磁場引出到靶材腔；
步驟02:從離子源發生腔出來的部分等離子體經磁場進入靶材腔，并采用電場加速轟擊靶材，從靶材中轟擊出的靶材原子與所述等離子體包括的原子相互碰撞，生成大原子團；
步驟03：從靶材腔出來的大原子團進入基團增大腔中，同時，從離子源發生腔出來的部分等離子體經磁場進入基團增大腔，并且所述等離子體包括的電子在基團增大腔中做螺旋式運動來撞擊從靶材腔出來的大原子團使其帶電，從而增加帶電大原子團的占比；
步驟04：從基團增大腔出來的帶電大原子團進入磁場分析腔，進行荷質比篩選，選擇所需荷質比的帶電大原子團。
4.一種超淺結的制備方法，其特征在于，包括：
步驟01：包括離子源的離子源發生腔采用直流高壓放電來生成等離子體，所述等離子體包括離子、電子、原子、分子，其中部分等離子體經磁場引出到靶材腔；
步驟02：從離子源發生腔出來的部分等離子體經磁場進入靶材腔，并采用電場加速轟擊靶材，從靶材中轟擊出的靶材原子與所述等離子體包括的原子相互碰撞，生成大原子團；
步驟03：從靶材腔出來的大原子團進入基團增大腔中，同時，從離子源發生腔出來的部分等離子體經磁場進入基團增大腔，并且所述等離子體包括的電子在基團增大腔中做螺旋式運動來撞擊從靶材腔出來的大原子團使其帶電，從而增加帶電大原子團的占比；
步驟04：從基團增大腔出來的帶電大原子團進入磁場分析腔，進行荷質比篩選，選擇所需荷質比的帶電大原子團；
步驟05：對從磁場分析腔篩選出來的帶電大原子團進行加速，并注入到晶圓中，形成超淺結。
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