[發(fā)明專利]一種無(wú)芯基板的結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710515562.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107146762A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于中堯;張緒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)31313 | 代理人: | 張東梅 |
| 地址: | 214028 江蘇省無(wú)錫市新區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 無(wú)芯基板 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種無(wú)芯基板的制造方法,包括:
在第一銅箔上形成第一層導(dǎo)電線路;
通過(guò)第一壓合工藝在所述第一導(dǎo)電線路上壓合第一半固化片和第二銅箔,其中所述第一壓合工藝保持所述第一半固化片的半固化狀態(tài)不變,并使所述第一半固化片的半固化絕緣樹(shù)脂填充在所述第一導(dǎo)電線路間的間隙中;
利用所述第二銅箔形成第二導(dǎo)電線路;
通過(guò)第二壓合工藝在所述第二導(dǎo)電線路上壓合所述第二半固化片和第三銅箔,其中所述第二壓合工藝使所述第一半固化片和第二半固化片固化,并使所述第二半固化片的半固化絕緣樹(shù)脂填充在所述第二導(dǎo)電線路間的間隙中;
去除所述第一銅箔和第三銅箔并進(jìn)行鉆孔,以形成從所述第二半固化片外表面通向所述第二導(dǎo)電線路的一個(gè)或多個(gè)第一盲孔以及從所述第一導(dǎo)電線路通向所述第二導(dǎo)電線路的一個(gè)或多個(gè)第二盲孔;以及
填充盲孔并在所述第二半固化片上形成第三導(dǎo)電線路。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,還包括在第一銅箔上形成第一層導(dǎo)電線路之前,通過(guò)離型膜將所述第一銅箔附連到芯板上。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,還包括在所述第二導(dǎo)電線路上壓合所述第二半固化片和第三銅箔之后,從所述離型膜將所述第一銅箔至所述第三銅箔的結(jié)構(gòu)剝離所述芯板。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述在第一銅箔上形成第一層導(dǎo)電線路包括:
通過(guò)光刻工藝在所述第一銅箔上形成電鍍掩膜;
通過(guò)電鍍工藝形成第一導(dǎo)電線路;以及
去除所述電鍍掩膜。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用所述第二銅箔形成第二導(dǎo)電線路包括:
通過(guò)光刻工藝在所述第二銅箔上形成刻蝕掩膜;
利用刻蝕掩膜進(jìn)行刻蝕工藝以形成第二導(dǎo)電線路。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述第一銅箔和第三銅箔并進(jìn)行鉆孔包括:
將所述第一銅箔和第三銅箔的厚度減薄至6μm以下;
在所述第一銅箔和第三銅箔上進(jìn)行激光鉆孔并去除孔內(nèi)膠渣,以形成從所述第二半固化片外表面通向所述第二導(dǎo)電線路的一個(gè)或多個(gè)第一盲孔以及從所述第一導(dǎo)電線路通向所述第二導(dǎo)電線路的一個(gè)或多個(gè)第二盲孔;
將減薄的第一銅箔和第三銅箔完全去除。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述填充盲孔并在所述第二半固化片上形成第三導(dǎo)電線路包括:
在所述第一半固化片和第二半固化片的表面上形成電鍍種子層;
通過(guò)光刻工藝在所述電鍍種子層上形成電鍍掩膜和電鍍窗口;
通過(guò)電鍍,在電鍍窗口內(nèi)填充盲孔并形成第三導(dǎo)電線路;
去除電鍍掩膜;以及
通過(guò)閃蝕法去除電鍍掩膜下方的電鍍種子層。
8.如權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,通過(guò)化學(xué)鍍銅形成所述電鍍種子層,所述化學(xué)鍍銅包括中和、酸浸、清潔、微蝕、預(yù)浸、活化、還原、化銅、水洗,而不包括中和前的蓬松,除膠。
9.一種三層無(wú)芯基板,包括:
第一層導(dǎo)電線路,所述第一層導(dǎo)電線路埋入在第一層絕緣樹(shù)脂中,并且所述第一層導(dǎo)電線路的第一表面與所述第一層絕緣樹(shù)脂的第一表面齊平;
第二層導(dǎo)電線路,所述第二層導(dǎo)電線路埋入在第二層絕緣樹(shù)脂中,所述第二層絕緣樹(shù)脂的第一表面層疊在所述第一層絕緣樹(shù)脂的第二表面上,并且所述第二層導(dǎo)電線路的第一表面與所述第二層絕緣樹(shù)脂的第一表面齊平,其中所述第一層絕緣樹(shù)脂的第二表面與所述第一層絕緣樹(shù)脂的第一表面相對(duì);
第三層導(dǎo)電線路,所述第三層導(dǎo)電線路在所述第二層絕緣樹(shù)脂的第二表面齊平,其中所述第二層絕緣樹(shù)脂的第二表面與所述第二層絕緣樹(shù)脂的第一表面相對(duì);
將所述第一層導(dǎo)電線路與所述第二層導(dǎo)電線路電連接的一個(gè)或多個(gè)第一盲孔;以及
將所述第二層導(dǎo)電線路與所述第三層導(dǎo)電線路電連接的一個(gè)或多個(gè)第二盲孔。
10.如權(quán)利要求9所述三層無(wú)芯基板,其特征在于,所述第一層導(dǎo)電線路的最小線寬線距小于15μm/15μm,線路的厚度在18μm至20μm的范圍內(nèi);所述第三層導(dǎo)電線路的最小線寬線距小于15μm/15μm,線路的厚度在18μm至20μm的范圍內(nèi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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