[發明專利]一種無芯基板的結構及其制造方法在審
| 申請號: | 201710515562.3 | 申請日: | 2017-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN107146762A | 公開(公告)日: | 2017-09-08 |
| 發明(設計)人: | 于中堯;張緒 | 申請(專利權)人: | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31313 | 代理人: | 張東梅 |
| 地址: | 214028 江蘇省無錫市新區*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 無芯基板 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種無芯基板的制造方法,包括:
在第一銅箔上形成第一層導電線路;
通過第一壓合工藝在所述第一導電線路上壓合第一半固化片和第二銅箔,其中所述第一壓合工藝保持所述第一半固化片的半固化狀態不變,并使所述第一半固化片的半固化絕緣樹脂填充在所述第一導電線路間的間隙中;
利用所述第二銅箔形成第二導電線路;
通過第二壓合工藝在所述第二導電線路上壓合所述第二半固化片和第三銅箔,其中所述第二壓合工藝使所述第一半固化片和第二半固化片固化,并使所述第二半固化片的半固化絕緣樹脂填充在所述第二導電線路間的間隙中;
去除所述第一銅箔和第三銅箔并進行鉆孔,以形成從所述第二半固化片外表面通向所述第二導電線路的一個或多個第一盲孔以及從所述第一導電線路通向所述第二導電線路的一個或多個第二盲孔;以及
填充盲孔并在所述第二半固化片上形成第三導電線路。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,還包括在第一銅箔上形成第一層導電線路之前,通過離型膜將所述第一銅箔附連到芯板上。
3.如權利要求2所述的方法,其特征在于,還包括在所述第二導電線路上壓合所述第二半固化片和第三銅箔之后,從所述離型膜將所述第一銅箔至所述第三銅箔的結構剝離所述芯板。
4.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述在第一銅箔上形成第一層導電線路包括:
通過光刻工藝在所述第一銅箔上形成電鍍掩膜;
通過電鍍工藝形成第一導電線路;以及
去除所述電鍍掩膜。
5.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用所述第二銅箔形成第二導電線路包括:
通過光刻工藝在所述第二銅箔上形成刻蝕掩膜;
利用刻蝕掩膜進行刻蝕工藝以形成第二導電線路。
6.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述第一銅箔和第三銅箔并進行鉆孔包括:
將所述第一銅箔和第三銅箔的厚度減薄至6μm以下;
在所述第一銅箔和第三銅箔上進行激光鉆孔并去除孔內膠渣,以形成從所述第二半固化片外表面通向所述第二導電線路的一個或多個第一盲孔以及從所述第一導電線路通向所述第二導電線路的一個或多個第二盲孔;
將減薄的第一銅箔和第三銅箔完全去除。
7.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述填充盲孔并在所述第二半固化片上形成第三導電線路包括:
在所述第一半固化片和第二半固化片的表面上形成電鍍種子層;
通過光刻工藝在所述電鍍種子層上形成電鍍掩膜和電鍍窗口;
通過電鍍,在電鍍窗口內填充盲孔并形成第三導電線路;
去除電鍍掩膜;以及
通過閃蝕法去除電鍍掩膜下方的電鍍種子層。
8.如權利要求7所述的方法,其特征在于,通過化學鍍銅形成所述電鍍種子層,所述化學鍍銅包括中和、酸浸、清潔、微蝕、預浸、活化、還原、化銅、水洗,而不包括中和前的蓬松,除膠。
9.一種三層無芯基板,包括:
第一層導電線路,所述第一層導電線路埋入在第一層絕緣樹脂中,并且所述第一層導電線路的第一表面與所述第一層絕緣樹脂的第一表面齊平;
第二層導電線路,所述第二層導電線路埋入在第二層絕緣樹脂中,所述第二層絕緣樹脂的第一表面層疊在所述第一層絕緣樹脂的第二表面上,并且所述第二層導電線路的第一表面與所述第二層絕緣樹脂的第一表面齊平,其中所述第一層絕緣樹脂的第二表面與所述第一層絕緣樹脂的第一表面相對;
第三層導電線路,所述第三層導電線路在所述第二層絕緣樹脂的第二表面齊平,其中所述第二層絕緣樹脂的第二表面與所述第二層絕緣樹脂的第一表面相對;
將所述第一層導電線路與所述第二層導電線路電連接的一個或多個第一盲孔;以及
將所述第二層導電線路與所述第三層導電線路電連接的一個或多個第二盲孔。
10.如權利要求9所述三層無芯基板,其特征在于,所述第一層導電線路的最小線寬線距小于15μm/15μm,線路的厚度在18μm至20μm的范圍內;所述第三層導電線路的最小線寬線距小于15μm/15μm,線路的厚度在18μm至20μm的范圍內。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





