[發(fā)明專利]一種采用石英環(huán)光學(xué)鍍膜材料改善高反膜微缺陷的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710515223.5
• 申請(qǐng)日: 2017-06-29
• 公開（公告）號(hào): CN109207934B
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊勇;馬云峰;楊莉莉;魏玉全;劉學(xué)建;黃政仁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號(hào): C23C14/30
• 分類號(hào): C23C14/30;C23C14/10;C23C14/08
• 代理公司: 上海瀚橋?qū)＠硎聞?wù)所(普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲;鄭優(yōu)麗

1.一種采用石英環(huán)光學(xué)鍍膜材料改善高反膜微缺陷的方法，其特征在于，以SiO₂細(xì)粉和SiO₂超微粉為原料，加入粘結(jié)劑，經(jīng)混合和成型，得到石英素坯，所述SiO₂超微粉的質(zhì)量為SiO₂細(xì)粉質(zhì)量的3～6%，所述SiO₂細(xì)粉的純度為99.99%，粒徑為2～10μm；所述SiO₂超微粉的純度為97%，粒徑為0.5～1.5μm；將石英素坯進(jìn)行脫粘后，先在700～800℃下預(yù)熔120～150分鐘，再于1000～1200℃下煅燒120～180分鐘，得到石英鍍膜材料；在真空鍍膜過程中使用經(jīng)預(yù)熔制得的石英鍍膜材料進(jìn)行鍍膜。

2.一種制備含有SiO₂層的高反膜的方法，其特征在于，以SiO₂細(xì)粉和SiO₂超微粉為原料，加入粘結(jié)劑，經(jīng)混合和成型，得到石英素坯，所述SiO₂超微粉的質(zhì)量為SiO₂細(xì)粉質(zhì)量的3～6%，所述SiO₂細(xì)粉的純度為99.99%，粒徑為2～10μm；所述SiO₂超微粉的純度為97%，粒徑為0.5～1.5μm；將石英素坯進(jìn)行脫粘后，先在700～800℃下預(yù)熔120～150分鐘，再于1000～1200℃下煅燒120～180分鐘，得到石英鍍膜材料；在真空鍍膜過程中，先在襯底上沉積高折射率材料Nb₂O₅或HfO₂，然后再以預(yù)熔制得的石英鍍膜材料為靶材，沉積低折射率的SiO₂層，交替進(jìn)行，直至高反膜的總厚度5～7μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在真空鍍膜過程中，通過調(diào)節(jié)電子束的線掃描頻率和坩堝穴的轉(zhuǎn)速，將石英鍍膜材料的蒸發(fā)速率控制在0.2～0.8nm/s。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述成型的方式為干壓成型，所述干壓成型的壓力為80～120MPa。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述脫粘為在600～650℃下保溫1～6小時(shí)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述預(yù)熔的升溫速率為5～10℃/分鐘。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述煅燒的升溫速率為6～8℃/分鐘。

8.一種根據(jù)權(quán)利要求2所述方法制備的高反膜。