[發明專利]處理基片的裝置和方法

有效

• 申請號: 201710514602.2
• 申請日: 2012-12-07
• 公開（公告）號: CN107170700B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 李曉山;高鏞璿;金慶燮;金光秀;金石訓;李根澤;田溶明;趙庸真
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;薛義丹

本申請提供了一種基片干燥裝置和基片處理方法。該裝置可包括：配置為具有內部空間的處理室；布置于所述處理室內用于支撐基片的基片支撐件；第一供應口，其配置為向位于所述基片以下的所述內部空間的一個區域提供超臨界流體；第二供應口，其配置為向位于所述基片以上的所述內部空間的另一個區域提供超臨界流體；和排出口，其配置為將超臨界流體從所述處理室排出到外部區域。

本申請是申請日為2012年12月7日，申請號為“201210524045.X”，發明名稱為“處理基片的裝置和方法”的發明專利申請的分案申請。

本申請要求2011年12月7日提交的韓國專利申請No.10-2011-0130385的優先權，該申請的全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本發明構思的實施例涉及用于處理基片的裝置和方法，更具體地，涉及用于使用超臨界流體干燥基片的裝置和方法。

背景技術

半導體裝置的制造包括從基片或晶片上去除污染物的清洗處理。清洗處理包括使用化學材料從基片上去除污染物的化學處理步驟，使用沖洗(rinse)溶液從基片上去除化學材料的沖洗步驟，和從基片上干燥沖洗溶液的干燥步驟。

在干燥步驟中，可將有機溶劑用于基片表面以替換沖洗溶液，接著可以對基片進行加熱。然而，在半導體裝置包括寬度較窄的電路圖案的情況下，在干燥步驟中可能發生圖案傾塌(pattern collapse)現象，其中電路圖案受損或被破壞。

發明內容

本發明構思的實施例提供了一種用于有效干燥基片的裝置和方法。

根據本發明構思的一些實施例，一種基片干燥裝置可以包括：具有內部空間的處理室；布置于所述處理室內用于支撐基片的基片支撐件；第一供應口，其配置為向位于所述基片以下的所述內部空間的一個區域提供超臨界流體；第二供應口，其配置為向位于所述基片以上的所述內部空間的一個區域提供超臨界流體；和排出口，其配置為將超臨界流體從所述處理室排出到外部區域。

根據本發明構思的一些實施例，一種干燥基片的方法可以包括：將基片放置于處理室；向位于所述基片以下的所述處理室的較低內部空間中提供超臨界流體以將所述處理室的內部壓力增大超過大氣壓；以及隨后向位于所述基片以上的所述處理室的較高內部空間中提供超臨界流體以干燥所述基片。

根據本發明構思的一些實施例，一種基片干燥裝置可以包括：具有內部空間的處理室；布置于所述處理室的內部空間中的基片支撐件，所述基片支撐件配置為接收和支撐基片；布置于所述處理室的內部空間中的在所述基片支撐件以下的擋板(blockingplate)；第一供應口；第二供應口；和排出口。所述第一供應口可延伸穿透所述處理室的底壁，并且配置為向所述擋板的底面和位于所述基片以下和所述擋板的頂面以上的所述內部空間的一個區域提供超臨界流體。所述第二供應口可延伸穿透所述處理室的頂壁，并且配置為向位于所述基片以上的所述內部空間的一個區域提供超臨界流體。所述排出口可以延伸穿透所述處理室的底壁，并且配置為將超臨界流體從所述處理室排出到外部區域。

附圖說明

通過以下結合附圖進行的簡要說明將會更加清楚地理解這些示例實施例。在此所述的圖1到圖12代表非限定性的示例實施例。

圖1是示出了根據本發明構思的一些實施例的基片處理裝置的截面圖；

圖2是示出了在封閉狀態下的圖1的裝置的處理室的截面圖；

圖3是示出了圖1的裝置的基片支撐件的平面圖；

圖4是示意性地示出了根據本發明構思的一些實施例的升壓步驟的示圖；

圖5是示意性地示出了根據本發明構思的一些實施例的基片干燥步驟的示圖；

圖6是示意性地示出了根據本發明構思的一些實施例的排出步驟的示圖；