[發(fā)明專利]顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710513585.0 | 申請日: | 2017-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN107623008B | 公開(公告)日: | 2020-04-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吉賀正博 | 申請(專利權(quán))人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學(xué)工*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包含襯底、第一柵電極、第二柵電極、主動層以及第一數(shù)據(jù)電極。所述第一柵電極配置在所述襯底上。所述第二柵電極配置在所述第一柵電極與所述襯底之間。所述主動層配置在所述第一柵電極與所述第二柵電極之間。所述主動層與所述第一柵電極以及所述第二柵電極重疊。所述第一數(shù)據(jù)電極配置在所述襯底上,并且連接到所述主動層。所述第一柵電極以及所述第二柵電極中的一者連接到所述第一數(shù)據(jù)電極。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明大體上涉及顯示裝置,具體來說,涉及能夠減小泄漏電流(an off leakcurrent)的顯示裝置。
背景技術(shù)
對于顯示面板,顯示裝置在其中的泄漏電流是重要的問題。較大泄漏電流將顯著地影響顯示面板的功率消耗和顯示質(zhì)量。在顯示裝置包含雙柵極薄膜晶體管的現(xiàn)有技術(shù)中,經(jīng)由個別信號線將恒定電壓施加到額外背柵電極。準(zhǔn)備個別信號線以對背柵電極施加恒定電壓信號,來調(diào)制施加到薄膜晶體管的通道的柵極電壓。在薄膜晶體管背柵極電壓調(diào)制中,閾值電壓的減小引起泄漏電流的增大,并且反之亦然。閾值電壓與泄漏電流之間的最佳條件受到限制。
因此,如何制造具有低功率消耗和令人滿意的顯示質(zhì)量而不增大電路復(fù)雜度的顯示裝置是相關(guān)領(lǐng)域中最重要的課題之一。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明針對一種能夠減小泄漏電流的顯示裝置。
本發(fā)明的一實施例提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包含襯底、第一柵電極、第二柵電極、主動層以及第一數(shù)據(jù)電極。所述第一柵電極配置在所述襯底上。所述第二柵電極配置在所述第一柵電極與所述襯底之間。所述主動層配置在所述第一柵電極與所述第二柵電極之間。所述主動層與所述第一柵電極以及所述第二柵電極重疊。所述第一數(shù)據(jù)電極配置在所述襯底上,并且連接到所述主動層。所述第一柵電極以及所述第二柵電極中的一者連接到所述第一數(shù)據(jù)電極。
在本發(fā)明的一示范性實施例中,所述第二柵電極連接到所述第一數(shù)據(jù)電極。所述第一柵電極與所述第二柵電極以及所述第一數(shù)據(jù)電極電隔離。
基于上文,在本發(fā)明的實施例中,所述顯示裝置包含雙柵電極。所述第一柵電極以及所述第二柵電極中的一者連接到所述數(shù)據(jù)線,以便減小所述泄漏電流。
為了使本發(fā)明的前述以及其它特征和優(yōu)點易于了解,下文詳細(xì)描述伴隨附圖的若干示范性實施例。
附圖說明
包含附圖以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解,并且附圖并入本說明書中并且構(gòu)成本說明書的一部分。附圖說明本發(fā)明的實施例,并且與描述內(nèi)容一起用來解釋本發(fā)明的原理。
圖1說明根據(jù)本發(fā)明的一實施例的顯示裝置的截面圖。
圖2說明根據(jù)本發(fā)明的一實施例的在圖1中所描繪的顯示裝置的等效電路。
圖3說明根據(jù)本發(fā)明的一實施例的顯示面板的示意圖。
圖4說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的顯示裝置的截面圖。
圖5說明根據(jù)本發(fā)明的一實施例的在圖4中所描繪的顯示裝置的等效電路。
圖6說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的顯示面板的示意圖。
圖7說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的顯示面板的示意圖。
圖8說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的顯示面板的示意圖。
圖9說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的顯示裝置的截面圖。
圖10說明根據(jù)本發(fā)明的一實施例的在圖9中所描繪的顯示裝置的等效電路。
[組件符號說明]
100、200A、200B、200C:顯示單元
102、202、302:雙柵極薄膜晶體管(TFT)結(jié)構(gòu)
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





