[發(fā)明專(zhuān)利]一種芯片散熱器及其制備方法和DBC基板組件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710513394.4 | 申請(qǐng)日： | 2017-06-29 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109216303B | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-05-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐強(qiáng);張?zhí)忑?/a>;溫懷通;林信平 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L23/473 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L23/473;H01L23/373;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人： | 王園園;李婉婉 |
| 地址： | 518118 廣東省*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 芯片 散熱器 及其 制備 方法 dbc 組件 | ||
1.一種芯片散熱器，其特征在于，該芯片散熱器包括：依次層壓設(shè)置的上端蓋(1)、共燒層壓散熱結(jié)構(gòu)(2)和下端蓋(3)，所述下端蓋(3)上設(shè)置有冷卻液入口(31)和冷卻液出口(32)，所述共燒層壓散熱結(jié)構(gòu)(2)的材質(zhì)為無(wú)氧銅，所述上端蓋(1)和下端蓋(3)的材質(zhì)為無(wú)氧銅和/或含銅的合金；
其中，所述共燒層壓散熱結(jié)構(gòu)(2)為重復(fù)銅片單元，所述重復(fù)銅片單元包括依次層壓設(shè)置的第一銅片(21)和第三銅片(23)，所述第一銅片(21)上設(shè)置有通孔a，所述第三銅片(23)上設(shè)置有通孔b，第一銅片(21)上的通孔a與第三銅片(23)上的通孔b至少部分交錯(cuò)設(shè)置；
所述重復(fù)銅片單元還包括設(shè)置在第一銅片(21)和第三銅片(23)之間的第二銅片(22)，以用于使得冷卻液在第一銅片(21)和第三銅片(23)之間流動(dòng)順暢，其中，所述第二銅片(22)為矩形的銅框，且該銅框相對(duì)的兩個(gè)側(cè)邊上設(shè)置有連接該兩個(gè)側(cè)邊的第一銅條(221)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片散熱器，第一銅片(21)上的通孔a與第三銅片(23)上的通孔b為全部交錯(cuò)設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片散熱器，所述第一銅片(21)包括：第一通孔區(qū)域(211)、第二通孔區(qū)域(212)以及位于第一通孔區(qū)域(211)和第二通孔區(qū)域(212)之間的非通孔區(qū)域a(213)，其中，第一通孔區(qū)域(211)和第二通孔區(qū)域(212)內(nèi)具有通孔a。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片散熱器，所述第三銅片(23)包括：第三通孔區(qū)域(231)、第四通孔區(qū)域(232)以及位于第三通孔區(qū)域(231)和第四通孔區(qū)域(232)之間的非通孔區(qū)域b(233)，其中，第三通孔區(qū)域(231) 和第四通孔區(qū)域(232)內(nèi)具有通孔b。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片散熱器，所述第一銅片(21)的厚度為0.1-1.5mm；所述第三銅片(23)的厚度為0.1-1.5mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片散熱器，所述第一銅片(21)的厚度為0.25-0.9mm，所述第三銅片(23)的厚度為0.25-0.9mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片散熱器，其中，所述第二銅片(22)的厚度為0.1-1.5mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片散熱器，其中，所述第二銅片(22)的厚度為0.25-0.9mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的芯片散熱器，其中，所述第一銅片(21)和第二銅片(22)之間設(shè)置有氧化亞銅層用于粘結(jié)第一銅片(21)和第二銅片(22)，所述第二銅片(22)與所述第三銅片(23)之間設(shè)置有氧化亞銅層用于粘結(jié)第二銅片(22)和第三銅片(23)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片散熱器，其中，所述上端蓋(1)上設(shè)置有位于芯片散熱器內(nèi)部的第一蓄流槽(11)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片散熱器，其中，所述上端蓋(1)的最大厚度為1-4mm，所述第一蓄流槽(11)的深度為0.5-3mm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或10所述的芯片散熱器，其中，所述下端蓋(3) 上設(shè)置有位于芯片散熱器內(nèi)部的第二蓄流槽(33)和第三蓄流槽(34)，所述第二蓄流槽(33)和第三蓄流槽(34)之間設(shè)置有第二銅條(35)，所述第二銅條(35)用于阻隔第二蓄流槽(33)和第三蓄流槽(34)之間冷卻液的流動(dòng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的芯片散熱器，其中，所述下端蓋(3)的最大厚度為1-4mm，所述第二蓄流槽(33)的深度為0.5-3mm，所述第三蓄流槽(34)的深度為0.5-3mm。
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