[發明專利]有機光電子器件、圖像傳感器和電子設備

在審

• 申請號: 201710513122.4
• 申請日: 2017-06-29
• 公開（公告）號: CN107546327A
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發明（設計）人: 林東晳;李光熙;八木彈生;尹晟榮;李啟滉;林宣晶;陳勇完
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L27/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 金擬粲

1.有機光電子器件，包括：

彼此面對的第一電極和第二電極；以及

在所述第一電極和所述第二電極之間的光吸收層，所述光吸收層包括，

包括p型光吸收材料和n型光吸收材料的光電轉換區域，和

包括所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料的至少一種以及激子猝滅劑的摻雜區域，

其中所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料的至少一種選擇性地吸收可見光的一部分。

2.如權利要求1所述的有機光電子器件，其中

所述光電轉換區域包括接近所述第一電極的第一光電轉換區域和接近所述第二電極的第二光電轉換區域，和

所述摻雜區域在所述第一光電轉換區域和所述第二光電轉換區域之間。

3.如權利要求2所述的有機光電子器件，其中

所述第二電極比所述第一電極更接近光入射側，和

所述第二光電轉換區域的厚度與所述第一光電轉換區域的厚度相同或大于所述第一光電轉換區域的厚度。

4.如權利要求1所述的有機光電子器件，其中所述激子猝滅劑包括金屬、半金屬、金屬氧化物、半金屬氧化物、有機材料、或其組合。

5.如權利要求4所述的有機光電子器件，其中所述激子猝滅劑包括能傳輸空穴的金屬、能傳輸空穴的半金屬、能傳輸空穴的金屬氧化物、能傳輸空穴的半金屬氧化物、能傳輸空穴的有機材料、或其組合。

6.如權利要求4所述的有機光電子器件，其中所述激子猝滅劑為銅、銀、金、鋁、鉬氧化物、鎢氧化物、釩氧化物、錸氧化物、鎳氧化物、或其組合。

7.如權利要求1所述的有機光電子器件，其中基于所述摻雜區域的總體積，以小于或等于50體積％的量包括所述激子猝滅劑。

8.如權利要求1所述的有機光電子器件，其中所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料的至少一種選擇性地吸收如下的至少一種中的光：大于或等于400nm且小于500nm的波長區域、500nm-600nm的波長區域、和大于600nm且小于或等于700nm的波長區域。

9.如權利要求1所述的有機光電子器件，其中

所述光吸收層吸收在彼此不同的波長區域中的第一可見光和第二可見光，

所述第一可見光的大部分被吸收在所述光電轉換區域中，和

所述第二可見光的大部分被吸收在所述摻雜區域中。

10.如權利要求9所述的有機光電子器件，其中

所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料之一選擇性地吸收所述第一可見光，和

所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料的另一種吸收所述第一可見光和所述第二可見光。

11.如權利要求10所述的有機光電子器件，其中

所述第一可見光在500nm-600nm的波長區域中，和

所述第二可見光在大于或等于400nm且小于500nm的波長區域中。

12.如權利要求11所述的有機光電子器件，其中所述有機光電子器件對于所述第一可見光和所述第二可見光的外量子效率滿足關系方程1：

[關系方程1]

EQE_最大/EQE_450nm≥3.80

其中，在關系方程1中，

EQE_最大為使用入射光子-電流轉換效率(IPCE)方法測量的所述第一可見光在最大吸收波長處的外量子效率，和

EQE_450nm為使用入射光子-電流轉換效率(IPCE)方法測量的在450nm處的外量子效率。

13.如權利要求10所述的有機光電子器件，其中

所述p型光吸收材料選擇性地吸收所述第一可見光，和

所述n型光吸收材料吸收所述第一可見光和所述第二可見光。

14.如權利要求13所述的有機光電子器件，其中所述n型光吸收材料為富勒烯或富勒烯衍生物。

15.如權利要求13所述的有機光電子器件，其中所述p型光吸收材料為包括包含給電子部分、π共軛連接基團、和受電子部分的核心結構的有機材料。