[發明專利]3D存儲器的自適應操作

在審

• 申請號: 201710511496.2
• 申請日: 2017-06-28
• 公開（公告）號: CN107871520A
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: N.楊;J.袁;J.菲茨帕特里克
• 申請（專利權）人: 桑迪士克科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 萬里晴

1.一種三維非易失性存儲器系統，包括：

多條位線，在襯底表面上方第一高度處沿著第一方向而延伸；

多條字線，在所述襯底表面上方第二高度處沿著第二方向而延伸，所述第二方向與所述第一方向正交；

多個存儲器元件，其中所述多個存儲器元件的每個在所述第一高度和所述第二高度之間在第三方向上延伸，其中所述第三方向與所述第一方向和所述第二方向正交；

調整單元，所述調整單元被配置成基于所述多條字線和所述多條位線離驅動器電路的距離修改所述多個存儲器元件的操作參數。

2.如權利要求1所述的三維非易失性存儲器系統，其中，所述多個存儲器元件位于存儲器裸片中，并且所述調整單元位于控制器裸片中。

3.如權利要求1所述的三維非易失性存儲器系統，其中，所述多條位線在第一水平方向上延伸，并且所述多條字線在與所述第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸。

4.如權利要求3所述的三維非易失性存儲器系統，其中所述第三方向是垂直方向。

5.如權利要求1所述的三維非易失性存儲器系統，還包括讀出單元，所述讀出單元被配置為讀出所述多條位線的位線電流和/或位線電壓以確定電壓降。

6.如權利要求5所述的三維非易失性存儲器系統，其中，所述調整單元被配置為基于所述電壓降修改所述操作參數。

7.如權利要求1所述的三維非易失性存儲器系統，其中，所述多個存儲器元件是電阻式存儲器元件。

8.如權利要求1所述的三維非易失性存儲器系統，其中，所述多個存儲器元件是相變存儲器元件。

9.如權利要求8所述的三維非易失性存儲器系統，其中，所述調整單元被配置成用于單獨地修改所述多個存儲器元件的編程電壓和/或選擇電壓。

10.如權利要求1所述的三維非易失性存儲器系統，進一步包括所述調整單元的溫度輸入，并且其中，所述調整單元被進一步配置成用于響應于所述溫度輸入而修改所述操作參數。

11.一種三維非易失性存儲器，包括：

多條第一線，所述多條第一線在襯底表面上方的第一高度沿著第一方向延伸；

多條第二線，所述多條第二線在所述襯底表面上方的第二高度沿著第二方向延伸，所述第二方向與所述第一方向正交；

多個存儲器元件，單獨的存儲器元件從在所述第一高度的第一線延伸到在所述第二高度的第二線；

讀出單元，所述讀出單元被配置成用于讀出所述第一線的電流和/或電壓并且用于將所述讀出的結果與參考進行比較；以及

調整單元，所述調整單元與所述讀出單元通信，所述調整單元被配置成用于基于所述多個存儲器元件在所述襯底表面上方的高度響應于所述比較而修改所述多個存儲器元件的操作參數。

12.如權利要求11所述的三維非易失性存儲器，其中，所述調整單元被配置成用于響應于所述比較而修改所述多個存儲器元件的編程電壓。

13.如權利要求11所述的三維非易失性存儲器，其中，所述調整單元被配置成用于響應于所述比較而修改所述多個存儲器元件的讀取電壓。

14.如權利要求11所述的三維非易失性存儲器，其中，所述多個存儲器元件是電阻式存儲器元件。

15.如權利要求14所述的三維非易失性存儲器，其中，所述多個存儲器元件是相變存儲器元件。