[發明專利]一種單晶硅片絨面的制備方法

有效

• 申請號: 201710510694.7
• 申請日: 2017-06-28
• 公開（公告）號: CN107217307B
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發明（設計）人: 陳剛;陳春
• 申請（專利權）人: 南理工泰興智能制造研究院有限公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;C30B29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.在一種單晶硅片絨面的制備方法，其特征在于具體制備步驟為：

（1）單晶硅片的表面清洗：選取單晶硅片，分別用丙酮和去離子水表面超聲清洗后干燥；

（2）絨面處理劑1的制備：按重量份數計，分別選取20～40份醋酸溶液、5～7份三氧化鉻、5～10份氫氟酸、3～5份甲酸溶液、3～5份酒石酸、4～6份雙氧水和10～15份甘油，攪拌混合后得絨面處理劑1；

（3）絨面處理劑2的制備：按重量份數計，分別選取5～10份表面活性劑、2～4份氫氧化鈣、15～20份氫氧化鉀、5～10份氫氧化鈉和100～120份水，混合后得絨面處理劑2；所述的表面活性劑為吐溫-80、司盤-80、十二烷基苯磺酸鈉、十二烷基硫酸鈉中的一種或多種；

（4）第一次絨面處理后的單晶硅片：將清洗后單晶硅片加入絨面處理劑1中，浸泡后取出，用去離子水清洗后放入絨面處理劑2中浸泡，用去離子水洗滌后干燥；

（5）母鹽溶液的制備：按重量份數計，分別選取3～6份硝酸釔、4～8份氧化鐿、5～9份硝酸鋁，100～120份硝酸溶液，加熱至60～80℃，攪拌混合后過濾，得濾渣，按質量比1:100，將濾渣加入去離子水中，攪拌均勻即可；所述的硝酸溶液的質量分數為60%；

（6）液體培養基的制備：按重量份數劑，分別選取4～6份醋酸鈣、10～20份葡萄糖、8～10份酵母膏、10～15份瓊脂和800～1000份去離子水，攪拌混合即可；

（7）第一次絨面處理后的單晶硅片：按質量比1:50，將第一次絨面處理后的單晶硅片放入液體培養基中，并接種菌號為GLRT202Ca的菌株，避光培養，培養后向液體培養基中滴加母鹽溶液，滴加后攪拌，用碳酸氫鈉溶液調節pH為8.5～9.0，調節后靜止放置2～4天，取出單晶硅片，沖洗表面后干燥，干燥后在700～750℃溫度下煅燒30～50min，煅燒后取出，即可得絨面處理后的單晶硅片。

2.根據權利要求1所述的一種單晶硅片絨面的制備方法，其特征在于：所述步驟（4）中在絨面處理劑1中的浸泡時間為70～100s，在絨面處理劑2中的浸泡時間為40～60s。

3.根據權利要求1所述的一種單晶硅片絨面的制備方法，其特征在于：所述步驟（7）中所述的避光培養的溫度為30～35℃，避光培養時間為3～5天；所述的母鹽溶液質量為液體培養基質量3～5%。