[發明專利]一種半導體激光器材料的制備方法有效
| 申請號： | 201710509143.9 | 申請日： | 2017-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN107910750B | 公開（公告）日： | 2021-04-16 |
| 發明（設計）人： | 王庶民;王暢 | 申請（專利權）人： | 超晶科技（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/343 | 分類號： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京方安思達知識產權代理有限公司 11472 | 代理人： | 陳琳琳;李彪 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體激光器 材料 制備 方法 | ||
1.一種半導體激光器材料的制備方法，包括：
提供半導體供體襯底，并在該供體基底上外延生長緩沖層，在所述緩沖層上生長犧牲層，在所述犧牲層上生長半導體薄膜層；
在半導體薄膜層側進行離子注入，在所述犧牲層內形成缺陷層；
提供半導體受體襯底，并使所述半導體薄膜層和半導體受體襯底鍵合；
對缺陷層進行退火處理，將頂層薄膜沿犧牲層從供體襯底上剝離，得到含有供體襯底的第一基底和含有半導體薄膜層的第二基底，并去除第二基底上的犧牲層，得到鍵合有半導體薄膜層的柔性基底；
所述半導體供體襯底為GaSb、GaAs、InP、InAs或InSb襯底；
所述犧牲層為AlSb、AlAs、InAlAs或InAlSb；
所述半導體薄膜層為GaSb、GaAs、InP、InGaAs、InAlAs、InAs、InSb或以上物質的摻雜材料；
所述半導體受體襯底為晶圓級Si或Ge；
所述的離子注入的深度大于半導體薄膜層的厚度，小于半導體薄膜層的厚度與犧牲層厚度的總和。
2.根據權利要求1所述的半導體激光器材料的制備方法，其特征在于：所述方法進一步包括在鍵合有半導體薄膜層的柔性基底的半導體薄膜層上生長半導體激光器器件結構。
3.根據權利要求1或2所述的半導體激光器材料的制備方法，其特征在于：所述犧牲層通過室溫環境下自然氧化或化學方法刻蝕去除。
4.根據權利要求2所述的半導體激光器材料的制備方法，其特征在于：緩沖層、犧牲層和半導體薄膜層通過分子束外延、化學氣相沉積或液相外延方法生長。
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