[發(fā)明專利]電平移位電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710508202.0 | 申請日： | 2017-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN107508590A | 公開（公告）日： | 2017-12-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張藝蒙;劉金金;宋慶文;湯曉燕;張玉明 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H03K19/0175 | 分類號： | H03K19/0175;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)61230 | 代理人： | 劉長春 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電平 移位 電路 | ||
1.一種電平移位電路，其特征在于，包括：控制信號產(chǎn)生模塊、第一級電平移位電路、第二級電平移位電路及輸出端(VOUT)，其中，
所述第一級電平移位電路包括電阻(R1)、第一開關(guān)管(M1)，所述電阻(R1)與所述第一開關(guān)管(M1)串接于電源端(VDD)與接地端(GND)之間，所述第一開關(guān)管(M1)的控制端電連接至所述控制信號產(chǎn)生模塊的第一輸出端(VOUT1)；
所述第二級電平移位電路包括第二開關(guān)管(M2)、第三開關(guān)管(M3)，所述第二開關(guān)管(M2)與所述第三開關(guān)管(M3)串接于所述電源端(VDD)與所述接地端(GND)之間，所述第二開關(guān)管(M2)的控制端電連接至所述電阻(R1)與所述第一開關(guān)管(M1)串接形成的節(jié)點(A)，所述第三開關(guān)管(M3)的控制端電連接至所述控制信號產(chǎn)生模塊的第二輸出端(VOUT2)；所述輸出端(VOUT)電連接至所述第二開關(guān)管(M2)與所述第三開關(guān)管(M3)串接形成的節(jié)點(B)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平移位電路，其特征在于，所述控制信號產(chǎn)生模塊包括：脈沖信號產(chǎn)生單元(101)、第一延遲信號產(chǎn)生單元(102)，第二延遲信號產(chǎn)生單元(103)、或非門(NOR)，其中，
所述脈沖信號產(chǎn)生單元(101)的第一端電連接至所述接地端(GND)，所述脈沖信號產(chǎn)生單元(101)的第二端分別電連接至所述第一延遲信號產(chǎn)生單元(102)的輸入端及所述或非門(NOR)的第一輸入端；所述第一延遲信號產(chǎn)生單元(102)的輸出端分別電連接至所述第二延遲信號產(chǎn)生單元(103)的輸入端及所述控制信號產(chǎn)生模塊的第一輸出端(VOUT1)，所述第二延遲信號產(chǎn)生單元(103)的輸出端電連接至所述或非門(NOR)的第二輸入端，所述或非門(NOR)的輸出端電連接至所述控制信號產(chǎn)生模塊的第二輸出端(VOUT2)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電平移位電路，其特征在于，所述第一延遲信號產(chǎn)生單元(102)包括依次串接的第一反相器(D1)、第二反相器(D2)、第三反相器(D3)、第四反相器(D4)；所述第一反相器(D1)的輸入端電連接至所述脈沖信號產(chǎn)生單元(101)的第二端，所述第四反相器(D4)的輸出端電連接至所述第二延遲信號產(chǎn)生單元(103)的輸入端。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電平移位電路，其特征在于，所述第二延遲信號產(chǎn)生單元(103)包括依次串接的第五反相器(D5)、第六反相器(D6)、第七反相器(D7)、第八反相器(D8)；所述第五反相器(D5)的輸入端電連接至所述第一延遲信號產(chǎn)生單元(102)的輸出端，所述第八反相器(D8)的輸出端電連接至所述或非門(NOR)的第一輸入端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平移位電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管(M1)、所述第二開關(guān)管(M2)、所述第三開關(guān)管(M3)均為MOS晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平移位電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管(M1)、所述第三開關(guān)管(M3)為NMOS晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平移位電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管(M2)為PMOS晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平移位電路，其特征在于，所述脈沖信號產(chǎn)生單元(101)的輸出波形為矩形脈沖波，其幅值為5V。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平移位電路，其特征在于，所述電阻(R1)的取值為1KΩ。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平移位電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管(M1)和所述第三開關(guān)管(M3)的型號為BSS138，所述第二開關(guān)管(M2)的型號為BSS83P。
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