[發(fā)明專利]高生產(chǎn)量加熱的離子注入系統(tǒng)和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710507923.X | 申請日： | 2015-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN107424893B | 公開（公告）日： | 2020-05-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 阿曼·候賽諾維奇;約瑟夫·費(fèi)拉拉;布瑞·泰瑞 | 申請（專利權(quán)）人： | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分類號： | H01J37/18 | 分類號： | H01J37/18;H01J37/20;H01J37/317;H01L21/265;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019 | 代理人： | 劉新宇;壽寧 |
| 地址： | 美國馬薩諸*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 生產(chǎn)量 加熱 離子 注入 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種離子注入系統(tǒng)，包括：
離子注入設(shè)備，所述離子注入設(shè)備被構(gòu)造成朝向處理室引導(dǎo)離子束，其中所述處理室在真空壓力下具有與其相關(guān)聯(lián)的真空環(huán)境；
用于將工件從大氣環(huán)境轉(zhuǎn)移到真空環(huán)境的第一負(fù)載鎖定室以及用于將所述工件從真空環(huán)境轉(zhuǎn)移到大氣環(huán)境的第二負(fù)載鎖定室；
布置于所述第一負(fù)載鎖定室中的預(yù)熱設(shè)備，所述預(yù)熱設(shè)備包括熱板，所述熱板的表面能操作成支撐工件，所述表面包括排氣通道；
布置于所述第二負(fù)載鎖定室中的后冷卻設(shè)備；以及
控制器，所述控制器被構(gòu)造為啟動所述預(yù)熱設(shè)備以在完全或部分大氣壓力下將熱能傳送到相應(yīng)工件，從而將所述工件的溫度升高到第一預(yù)定溫度，并且所述控制器被進(jìn)一步構(gòu)造為啟動所述后冷卻設(shè)備以將所述工件冷卻到第二預(yù)定溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述控制器被進(jìn)一步構(gòu)造成啟動所述預(yù)熱設(shè)備以在所述真空壓力下將熱能傳送到所述工件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，還包括：
熱卡盤，所述熱卡盤被構(gòu)造為在所述處理室內(nèi)將所述工件選擇性地保持在所述熱卡盤上，其中所述熱卡盤被進(jìn)一步構(gòu)造為將所述工件加熱到大于所述第一預(yù)定溫度的處理溫度，并且其中在所述離子束撞擊工件的同時，所述熱卡盤將所述工件保持在所述熱卡盤上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，第一負(fù)載鎖定組件還包括提升機(jī)構(gòu)，所述提升機(jī)構(gòu)被構(gòu)造為相對于所述預(yù)熱設(shè)備選擇性地移動所述工件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述提升機(jī)構(gòu)包括選擇性地延伸通過所述熱板的表面的多個提升銷。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述提升機(jī)構(gòu)包括被構(gòu)造為選擇性地接合所述工件的周邊的一個或多個支撐件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述熱板包括限定在該熱板中的氣體冷卻通道，其中在所述氣體冷卻通道中提供的氣體選擇性地冷卻所述熱板。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述預(yù)熱設(shè)備包括具有陶瓷蓋的中空盤，其中位于所述盤內(nèi)的鉻鎳鐵合金加熱元件被構(gòu)造為將輻射能量選擇性地提供給所述陶瓷蓋，并且其中所述工件在位于所述陶瓷蓋的表面上時被選擇性地加熱。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述陶瓷蓋由碳化硅構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述預(yù)熱設(shè)備包括輻射熱源。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述輻射熱源包括鹵素?zé)?、發(fā)光二極管和紅外線熱裝置中的一個或多個。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述后冷卻設(shè)備包括冷卻工件支撐件，所述冷卻工件支撐件被構(gòu)造成通過熱傳導(dǎo)主動冷卻位于所述冷卻工件支撐件上的工件。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述冷卻工件支撐件包括冷板，所述冷板具有穿過該冷板的第二冷卻通道，其中通過所述第二冷卻通道的第二冷卻流體冷卻位于所述冷板的表面上的所述工件。
14.根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述熱卡盤包括陶瓷加熱元件。
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