[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201710507493.1
• 申請日: 2017-06-28
• 公開（公告）號: CN107546569B
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 永尾龍介;笹畑圭史;石村榮太郎
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01S5/026
• 分類號: H01S5/026;H01S5/40
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

涉及被用作波長可變光源的半導體裝置，目的是獲得能夠提高光電二極管的配置自由度的半導體裝置。本發明涉及的半導體裝置具備：基板，其具備前端面、后端面及在該前端面和該后端面兩側配置的側面；設置于該基板的多個半導體激光器；前方光合波器，其設置于該基板，對該多個半導體激光器的前方輸出光進行合波，向該前端面輸出；后方光合波器，其設置于該基板，對該多個半導體激光器的后方輸出光進行合并，向該后端面輸出；以及多個后方波導，其設置于該基板，與該后方光合波器的輸出部連接，該多個后方波導包含：主波導，其配置于該輸出部的中央部：及多個側部波導，其配置于該主波導兩側，向該側面彎曲，從該側面以相對于該側面傾斜的方式輸出光。

技術領域

本發明涉及一種被用作波長可變光源的半導體裝置。

背景技術

在專利文獻1中，公開了搭載有半導體激光器的波長可變光源。就該波長可變光源而言，在傳播信號光的中央波導的兩側設置有側部波導，該側部波導用于傳播無用的光即雜散光。使雜散光從側部波導射出，從而抑制了雜散光從中央波導射出。

專利文獻1：日本特開2003-258368號公報

就專利文獻1示出的波長可變光源而言，信號光和雜散光從出射端面射出。因此，在使信號光射入至光電二極管而進行利用的情況下，雜散光有可能射入至光電二極管。因此，為了使得光電二極管不對雜散光進行受光，光電二極管的配置受限。

發明內容

本發明是為了解決上述問題而提出的，其目的在于，獲得能夠將光電二極管的配置的自由度提高的半導體裝置。

本發明涉及的半導體裝置具備：基板，其具備前端面、后端面、以及在所述前端面和所述后端面的兩側配置的側面；多個半導體激光器，其設置于所述基板；前方光合波器，其設置于所述基板，對所述多個半導體激光器的前方輸出光進行合波，向所述前端面進行輸出；后方光合波器，其設置于所述基板，對所述多個半導體激光器的后方輸出光進行合波，向所述后端面進行輸出；以及多個后方波導，其設置于所述基板，與所述后方光合波器的輸出部連接，所述多個后方波導包含：主波導，其配置于所述輸出部的中央部；以及多個側部波導，其配置于所述主波導的兩側，向所述側面彎曲，從所述側面以相對于所述側面傾斜的方式對光進行輸出。

發明的效果

就本發明涉及的半導體裝置而言，雜散光在側部波導進行傳播。側部波導從基板的側面以相對于側面傾斜的方式對光進行輸出。另一方面，監視光在主波導進行傳播，從后端面射出。因此，不需要為了不對雜散光進行受光而在后端面側對光電二極管的位置進行調整。因此，能夠提高光電二極管的配置的自由度。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式1涉及的半導體裝置的俯視圖。

圖2是本發明的實施方式1涉及的半導體裝置的放大圖。

圖3是本發明的實施方式1涉及的側部波導的剖視圖。

圖4是本發明的實施方式2涉及的半導體裝置的俯視圖。

標號的說明

100、200半導體裝置，10基板，12半導體激光器，16前方光合波器，24后方光合波器，26、226輸出部，29、229后方波導，34前端面，36后端面，28、228主波導，32側面，30側部波導，31輸出端，242第1主波導，244第2主波導，72下部包層，74光吸收層，76電流阻擋層，78上部包層。

具體實施方式

參照附圖，對本發明的實施方式涉及的半導體裝置進行說明。對相同或對應的結構要素標注相同的標號，有時省略重復的說明。

實施方式1.