[發明專利]一種LED晶片電極蒸鍍墊片的表面清理方法有效
| 申請號： | 201710507203.3 | 申請日： | 2017-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN109148650B | 公開（公告）日： | 2020-11-27 |
| 發明（設計）人： | 胡夕倫;閆寶華;湯福國;劉琦;肖成峰 | 申請（專利權）人： | 山東浪潮華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人： | 陳桂玲 |
| 地址： | 261061 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 led 晶片 電極 墊片 表面 清理 方法 | ||
1.一種LED晶片電極蒸鍍墊片的表面清理方法，包括將電極蒸鍍墊片從蒸發臺行星架上取下，按以下步驟進行：
(1)將墊片上表面朝向脈沖激光照射方向放置，用脈沖激光進行均勻輻照，所述脈沖激光能量密度1.2-4.5J/cm2；所述脈沖激光頻率為10-45Hz，所述輻照時間為4-20min；
(2)將輻照完的墊片置于去離子水中進行超聲清洗，超聲頻率20-50KHz；
(3)將超聲清洗后的墊片進行熱氮烘干。
2.如權利要求1所述的LED晶片電極蒸鍍墊片的表面清理方法，其特征在于步驟(1)所述脈沖激光能量密度2.5-3.2J/cm2。
3.如權利要求1所述的LED晶片電極蒸鍍墊片的表面清理方法，其特征在于步驟(1)所述激光波長為248-1064nm。
4.如權利要求1所述的LED晶片電極蒸鍍墊片的表面清理方法，其特征在于步驟(2)所述超聲清洗時間為1-10min。
5.如權利要求1所述的LED晶片電極蒸鍍墊片的表面清理方法，其特征在于步驟(2)所述超聲頻率為30-45KHz。
6.如權利要求1所述的LED晶片電極蒸鍍墊片的表面清理方法，其特征在于步驟(3)所述烘干溫度30-80℃；烘干時間為1-10min。
7.如權利要求1所述的LED晶片電極蒸鍍墊片的表面清理方法，其特征在于，步驟如下：
(1)將臟污的蒸鍍墊片從蒸發臺行星架上取下；將墊片置于脈沖激光下進行表面均勻輻照，調節脈沖激光能量密度為3.0J/cm2，激光波長1064nm，頻率20Hz；輻照時間15min；
(2)將步驟(1)輻照完的墊片置于去離子水中進行超聲清洗，超聲頻率25KHz，清洗時間4min；
(3)將步驟(2)超聲清洗后的墊片進行熱氮烘干，烘干溫度45℃，烘干時間6min；
烘干完畢后的墊片重新裝回到蒸發臺行星架上，將LED晶片放置在墊片上通過彈簧夾固定，進行電極蒸鍍。
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