[發明專利]一種耐腐蝕抗沖擊石墨填料環在審
| 申請號: | 201710507164.7 | 申請日: | 2017-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN107199742A | 公開(公告)日: | 2017-09-26 |
| 發明(設計)人: | 秦永清 | 申請(專利權)人: | 太倉市凱諾石墨密封制品有限公司 |
| 主分類號: | B32B9/00 | 分類號: | B32B9/00;B32B9/04;B32B15/18;F16J15/28;F16J15/30;F16K41/04 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 腐蝕 沖擊 石墨 填料 | ||
技術領域
本發明涉及一種填料技術領域,特別涉及一種耐腐蝕抗沖擊石墨填料環。
背景技術
石墨填料環是一種用來密封的產品,主要用于控制閥上,使用時將其套裝在閥桿上,通過石墨填料環密封閥體與閥桿,同時對閥體、閥桿等進行保護,而閥門大多的使用條件均處于油類、水類等潮濕的環境下,腐蝕性強,并且閥門的開閉常常會對填料環造成較大的沖擊力,因此對于石墨填料環的耐腐蝕性能以及抗沖擊性能的要求也越來越高,因此急需對現有的石墨填料環進行進一步的研發及改進。
發明內容
本發明主要解決的技術問題是提供一種耐腐蝕抗沖擊石墨填料環,能夠具備有優異的耐腐蝕性能以及良好的抗沖擊性能,能夠在使用的過程中,不易損壞,從而保證閥體在正常使用過程中不受損。
為解決上述技術問題,本發明采用的一個技術方案是:提供一種耐腐蝕抗沖擊石墨填料環,包括環狀體,所述環狀體由石墨層和金屬層高溫復合壓制成一體,且所述石墨層和所述金屬層沿著所述環狀體的中心由內至外依次交替排列分布,按照截面面積計算,所述石墨層占54-62%,所述金屬層占38-46%,所述金屬層由高碳鉻鐵、鉬鐵以及稀土硅高溫熔融而成,按照質量百分比計算,所述高碳鉻鐵的含量占66-72%,所述鉬鐵的含量占17-21%,余量為稀土硅。
在本發明一個較佳實施例中,所述金屬層內各成分的具體配比為:所述高碳鉻鐵的含量占69%,所述鉬鐵的含量占19%,所述稀土硅的含量占12%。
在本發明一個較佳實施例中,所述環狀體的最內層和最外層均為金屬層。
在本發明一個較佳實施例中,所述石墨層與所述金屬層之間還設有熱熔膠涂層,能夠在高溫壓制復合的過程中,熱熔膠融化,增強石墨層與金屬層之間的結合強度。
本發明的有益效果是:本發明一種耐腐蝕抗沖擊石墨填料環,一方面采用石墨層和金屬層交替排列分布的方式,能夠大幅提高整體的抗沖擊性能,另一發明采用高碳鉻鐵、鉬鐵以及稀土硅高溫熔融而成的金屬層,能夠具備有優異的耐腐蝕性能,從而能夠在惡劣環境下使用時,不易損壞,從而保證閥體在正常使用過程中不受損。
具體實施方式
下面對本發明的較佳實施例進行詳細闡述,以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解,從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
實施例1:
一種耐腐蝕抗沖擊石墨填料環,包括環狀體,所述環狀體由石墨層和金屬層高溫復合壓制成一體,且所述石墨層和所述金屬層沿著所述環狀體的中心由內至外依次交替排列分布,按照截面面積計算,所述石墨層占54%,所述金屬層占46%,所述金屬層由高碳鉻鐵、鉬鐵以及稀土硅高溫熔融而成,按照質量百分比計算,所述高碳鉻鐵的含量占66%,所述鉬鐵的含量占21%,余量為稀土硅。
實施例2:
一種耐腐蝕抗沖擊石墨填料環,包括環狀體,所述環狀體由石墨層和金屬層高溫復合壓制成一體,且所述石墨層和所述金屬層沿著所述環狀體的中心由內至外依次交替排列分布,按照截面面積計算,所述石墨層占62%,所述金屬層占38%,所述金屬層由高碳鉻鐵、鉬鐵以及稀土硅高溫熔融而成,按照質量百分比計算,所述高碳鉻鐵的含量占72%,所述鉬鐵的含量占17%,余量為稀土硅。
實施例3:
一種耐腐蝕抗沖擊石墨填料環,包括環狀體,所述環狀體由石墨層和金屬層高溫復合壓制成一體,且所述石墨層和所述金屬層沿著所述環狀體的中心由內至外依次交替排列分布,按照截面面積計算,所述石墨層占58%,所述金屬層占42%,所述金屬層由高碳鉻鐵、鉬鐵以及稀土硅高溫熔融而成,按照質量百分比計算,所述高碳鉻鐵的含量占39%,所述鉬鐵的含量占19%,余量為稀土硅。
其中,所述環狀體的最內層和最外層均為金屬層,所述石墨層與所述金屬層之間還設有熱熔膠涂層,能夠在高溫壓制復合的過程中,熱熔膠融化,增強石墨層與金屬層之間的結合強度。
區別于現有技術,發明一種耐腐蝕抗沖擊石墨填料環,一方面采用石墨層和金屬層交替排列分布的方式,能夠大幅提高整體的抗沖擊性能,另一發明采用高碳鉻鐵、鉬鐵以及稀土硅高溫熔融而成的金屬層,能夠具備有優異的耐腐蝕性能,從而能夠在惡劣環境下使用時,不易損壞,從而保證閥體在正常使用過程中不受損。
以上所述僅為本發明的實施例,并非因此限制本發明的專利范圍,凡是利用本發明說明書內容所作的等效結構或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關的技術領域,均同理包括在本發明的專利保護范圍內。
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