[發明專利]一種提供氧化氛圍的電窯爐在審
| 申請號: | 201710506014.4 | 申請日: | 2017-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN107702532A | 公開(公告)日: | 2018-02-16 |
| 發明(設計)人: | 周迪 | 申請(專利權)人: | 長興鑫迪耐火材料廠 |
| 主分類號: | F27B17/00 | 分類號: | F27B17/00;F27D1/18;F27D11/02;F27D1/04 |
| 代理公司: | 杭州千克知識產權代理有限公司33246 | 代理人: | 裴金華 |
| 地址: | 313000 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提供 氧化 氛圍 電窯爐 | ||
技術領域
本發明涉及窯爐技術領域,具體地指一種提供氧化氛圍的電窯爐。
背景技術
電窯是窯爐的一種,其以電為能源,多半以電爐絲、硅碳幫或二硅化鉬作為發熱組件,依靠電能輻射和導熱原理進行氧化氣氛燒制,電子程序調控,操作簡單,安全性能好,適用于各種工作場所。
現有電窯通常采用耐火站堆砌形成的外壁作為保溫層,將待燒結物放置在其內加熱燒制,耐火磚之間通過水泥的堆砌形成保溫壁壘,然而對于有些種類的泥料,如朱泥,在燒結過程中需要消耗大量氧氣,對于封閉的電窯爐而言很難提供足夠的氧化氛圍供其充分的燒結,只能采用半開放式的天然氣窯爐進行燒結,能耗較大。
發明內容
為了克服上述現有技術的不足,本發明提供了一種提供氧化氛圍的電窯爐,其能夠在燒結時補充氧化氣氛圍,又能夠控制氧化氣的流量,提供足夠的保溫性,可以在相對封閉的燒結環境下對耗氧量大的泥料進行燒結。
一種提供氧化氛圍的電窯爐,包括爐體、窯爐門以及設置在所述爐體內部的加熱組件;
所述爐體上開設有氧化氣補充通路和相應的廢氣排出通路;
所述氧化氣補充通路上設置有預熱部、氧化氣流量計和氧化氣閥門,所述廢氣排出通路上設置有冷卻部和廢氣閥門。
作為上述技術方案的優選,所述加熱組件將電流通入電爐絲或硅碳幫或二硅化鉬中的一種加熱件進行加熱。
作為上述技術方案的優選,所述氧化氣補充通路還包括有氧氣瓶,氧化氣補充通路上部件的連接順序依次為氧氣瓶、氧化氣流量計、氧化氣閥門和預熱部,所述預熱部與所述爐體直接相連。
作為上述技術方案的優選,所述預熱部采用與所述加熱組件相同的加熱件進行預熱。
作為上述技術方案的優選,所述冷卻部為一個置于室溫環境下的盤管或U形管。
作為上述技術方案的優選,所述預熱部和所述冷卻部采用的是內徑為3毫米的不銹鋼管路。
作為上述技術方案的優選,所述爐體采用耐火磚以水泥鋪砌和膨脹石墨相結合的耐火磚連接結構相組合而成。
一種耐火磚連接結構,包括兩個耐火磚的側面及設置在兩個側面的連接部;
其中耐火磚的側面設置有水泥砌面以及與所述水泥砌面相鄰的膨脹石墨卡槽,形成堆砌結構時,所述水泥砌面位于窯爐隔熱層的外側,所述膨脹石墨卡槽位于窯爐隔熱層的內側;
連接部包括鋪砌在所述水泥砌面上的水泥銜接層以及卡接在所述膨脹石墨卡槽內的膨脹石墨卡條。
膨脹石墨作為耐高溫材料可用于電窯的耐火磚密封,其在高溫下能夠膨脹,填滿膨脹石墨卡槽,這樣即使水泥銜接層由于受熱收縮造成裂縫,仍然能夠保持很好的密封性。
作為上述技術方案的優選,所述水泥砌面為一個平面,其與所述膨脹石墨卡槽之間設置有擋塊。
作為上述技術方案的優選,所述水泥砌面上設置有若干凹坑。
作為上述技術方案的優選,所述膨脹石墨卡槽的數量為兩個,相鄰且平行的設置在耐火磚的側面上。
作為上述技術方案的優選,兩個所述膨脹石墨卡槽安裝膨脹石墨卡條后,中間存在中空的保溫層。
本申請的連接結構可采用下述的耐火磚,以增強電窯的保溫性能:
一種輕質保溫的電窯用耐火磚,由致密的支撐層和與其相結合的多孔的保溫層所構成;
堆砌電窯時,所述支撐層構成耐火磚堆砌結構的外層,所述保溫層構成耐火磚堆砌結構的里層;
所述支撐層的孔隙率為0%~5%,所述保溫層的孔隙率為5%~45%。
空氣作為熱的不良導體具有很低的熱導率,因此,在耐火磚中形成含有空氣的孔隙層能夠大大增強其保溫性能,與此同時,保留支撐層以提供耐火磚所需要的強度和抗熱震性能,使其相對于同類產品而言具有相當的競爭力。
作為上述技術方案的優選,所述支撐層為經燒結后形成的致密層。
作為上述技術方案的優選,所述支撐層的厚度占所述耐火磚厚度的18%~22%。
作為上述技術方案的優選,所述保溫層按照孔隙率由小至大的順序包含有若干個分層,其中孔隙率最小的分層與所述支撐層相鄰。
作為上述技術方案的優選,所述分層的數量為2~4層。
作為上述技術方案的優選,所述分層的數量為3層。
作為上述技術方案的優選,所述分層按照距離所述支撐層由近到遠的順序分別為與所述支撐層相鄰的第一分層、位于中間的第二分層以及距所述支撐層最遠的第三分層;
所述第一分層的孔隙率為8%~12%,所述第二分層的孔隙率為15%~20%,所述第三分層的孔隙率為22%~30%。
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