[發(fā)明專利]3D NAND閃存的錯誤緩解

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710505728.3
• 申請日: 2017-06-28
• 公開（公告）號: CN107799150B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: S-H.宋;V.杜貝科;Z.班迪克
• 申請（專利權(quán)）人: 西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C29/42;G06F11/10;G06F11/07
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 萬里晴

1.一種用于對閃存進(jìn)行重新編程和/或刷新的方法，包括：

由一個或多個處理器讀取存儲在與NAND閃存的第一頁相關(guān)聯(lián)的一個或多個虛擬單元處的虛擬單元數(shù)據(jù)；

由所述一個或多個處理器基于所述虛擬單元數(shù)據(jù)檢測與所述NAND閃存的所述第一頁相關(guān)聯(lián)的錯誤狀況；

由所述一個或多個處理器基于所述虛擬單元數(shù)據(jù)判定所述錯誤狀況是與讀取干擾相關(guān)聯(lián)還是與保持錯誤相關(guān)聯(lián)；

如果所述錯誤狀況與所述讀取干擾相關(guān)聯(lián)，則由所述一個或多個處理器發(fā)起關(guān)于所述第一頁的刷新操作，以便將存儲在所述第一頁處的數(shù)據(jù)寫入所述NAND閃存的第二頁；以及

如果所述錯誤狀況與所述保持錯誤相關(guān)聯(lián)，則由所述一個或多個處理器發(fā)起關(guān)于所述第一頁的重新編程操作，以便將存儲在所述第一頁處的所述數(shù)據(jù)重新寫入所述第一頁。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述錯誤狀況與所述保持錯誤相關(guān)聯(lián)，所述方法進(jìn)一步包括：

讀取存儲在所述第一頁處的所述數(shù)據(jù)；

對從所述第一頁中讀取的所述數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼；

對經(jīng)解碼數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼；以及

將經(jīng)編碼數(shù)據(jù)寫入所述第一頁。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中：

對從所述第一頁中讀取的所述數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼包括使用第一錯誤校正碼(ECC)對所述數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼，并且

對所述經(jīng)解碼數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼包括使用第二錯誤校正碼(ECC)對所述經(jīng)解碼數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述錯誤狀況與所述讀取干擾相關(guān)聯(lián)，并且其中，所述第一頁是讀取受擾頁，所述方法進(jìn)一步包括：

基于確定頁塊包括所述讀取受擾頁，由所述一個或多個處理器將所述頁塊放置在由所述一個或多個處理器監(jiān)測的刷新隊列中；

由所述一個或多個處理器讀取包括所述讀取受擾頁的所述頁塊；

對從所述第一頁中讀取的所述數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼；

對經(jīng)解碼數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼；

將經(jīng)編碼數(shù)據(jù)寫入所述第二頁；以及

擦除存儲在所述第一頁處的所述數(shù)據(jù)。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括：

由所述一個或多個處理器對存儲在所述頁塊中的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼；以及

由所述一個或多個處理器對經(jīng)解碼數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼以便形成編碼數(shù)據(jù)塊。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，將所述頁塊放置在所述刷新隊列中包括將所述頁塊放置在所述刷新隊列的尾部，所述方法進(jìn)一步包括：

在刷新包括在所述刷新隊列中的任何其他塊之前刷新定位在所述刷新隊列的頭部的塊。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括：

響應(yīng)于所述刷新隊列中的塊數(shù)量大于或等于閾值塊數(shù)量，刷新定位在所述刷新隊列的所述頭部的所述塊。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，判定所述錯誤狀況是與所述讀取干擾相關(guān)聯(lián)還是與所述保持錯誤相關(guān)聯(lián)包括：

響應(yīng)于從所述第一頁中讀取的所述虛擬單元數(shù)據(jù)匹配第一模式，確定所述錯誤狀況與所述讀取干擾相關(guān)聯(lián)；以及

響應(yīng)于從所述第一頁中讀取的所述虛擬單元數(shù)據(jù)匹配第二模式，確定所述錯誤狀況與所述保持錯誤相關(guān)聯(lián)。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，與所述NAND閃存的所述第一頁相關(guān)聯(lián)的一個或多個虛擬單元包括所述第一頁的第一虛擬單元和所述第一頁的第二虛擬單元，所述第一虛擬單元根據(jù)第一電壓范圍進(jìn)行編程，所述第二虛擬單元根據(jù)與第一電壓范圍相鄰的第二電壓范圍進(jìn)行編程。