[發明專利]晶硅電池片的制造方法

有效

• 申請號: 201710505383.1
• 申請日: 2017-06-28
• 公開（公告）號: CN107316919B
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 王斌;何悅;周東;王在發;任勇
• 申請（專利權）人: 尚德太陽能電力有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔;鄭暄

本發明涉及一種晶硅電池片的制造方法，其中，所述的制造方法包括管式PECVD鍍膜步驟，所述的管式PECVD鍍膜步驟包括在管式PECVD中進行N₂O處理和至少兩次的氮化硅層鍍膜，在第一次氮化硅層鍍膜之后進行所述的N₂O處理，所述的晶硅電池片在燒結后無發白現象且具有抗PID性能。采用了該發明中的晶硅電池片的制造方法，在保持膜厚折射率不變的情況下，將原來的單層SiNx膜變更為雙層或多層SiNx膜(內層高折射率SiN1，外層低折射率SiN2)，同時在SiN1之后加入N₂O對表面進行氧化吹掃清潔，不僅可以解決燒結后發白問題，同時由于N₂O本身也具有氧化能力，也帶來抗PID功能提升的附加效益。

技術領域

本發明涉及晶體硅太陽能電池技術領域，尤其涉及制造方法，具體是指一種晶硅電池片的制造方法。

背景技術

隨著行業水平的不斷進步，客戶對產品抗PID質量要求也越來越高。從最初的PECVD高折射率抗PID法，到N₂O預處理抗PID法，再到目前主流的刻蝕后O₃氧化抗PID法(即刻蝕后硅片表面覆蓋一層O₃氧化層)。目前O₃氧化抗PID法，可以大幅提高行業抗PID可靠性，但也引入燒結后發白新問題，同時因為這種外觀差異無法在PECVD鍍膜后辨識，給制造企業排查和解決過程帶來很大困擾。

相比常規色斑，燒結后發白無法在PECVD進行外觀辨別，這給制造企業排查帶來很大困擾。同時，由于此問題僅能在印刷后的成品電池才能被發現，故一般只能作降級處理，給企業帶來經濟損失。

因此，需要一種晶硅電池片的制造方法用于解決晶硅電池片在燒結后的發白現象且提高抗PID性能。

發明內容

本發明的目的是克服了上述現有技術的缺點，提供了一種能夠解決晶硅電池燒結后外觀發白同時增強抗PID性能的晶硅電池片的制造方法。

為了實現上述目的，本發明的晶硅電池片的制造方法包括管式PECVD鍍膜步驟，所述的管式PECVD鍍膜步驟包括在管式PECVD中進行N₂O處理和至少兩次的氮化硅層鍍膜，在第一次氮化硅層鍍膜之后進行所述的N₂O處理，所述的晶硅電池片在燒結后無發白現象且具有抗PID性能。

較佳地，所述的N₂O處理為吹掃氮化硅層以形成N₂O氧化層。

較佳地，所述的N₂O處理中的工藝參數包括：功率5000～6500w，壓力1600～2500mtorr，流量3000～6000sccm，占空比2～5/10～50，時間30～90s。

較佳地，所述的第一次氮化硅層鍍膜時的工藝參數包括：厚度10～25nm，折射率2.2～2.25，工藝壓力1600～2000mtorr。

較佳地，所述的N₂O處理之后進行第二次氮化硅層鍍膜。

較佳地，所述的N₂O處理之后進行第二次氮化硅層鍍膜和第三次氮化硅層鍍膜。

較佳地，所述的第二次氮化硅層鍍膜之后進行N₂O處理和第三次氮化硅層鍍膜。

較佳地，所述的第二次氮化硅層鍍膜時的工藝參數包括：厚度50～65nm，折射率2.05～2.15，工藝壓力1600～2000mtorr。

較佳地，所述的管式PECVD鍍膜步驟之前包括在刻蝕步驟之后的O₃氧化處理步驟。

較佳地，所述的管式PECVD鍍膜步驟之后包括絲網印刷步驟。