[發(fā)明專利]接收接口電路和包括接收接口電路的存儲(chǔ)器系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710505338.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107564557A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-01-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姜大云;西達(dá)爾特;任政燉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G11C7/10 | 分類號(hào): | G11C7/10 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286 | 代理人: | 張川緒,王兆賡 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 接收 接口 電路 包括 存儲(chǔ)器 系統(tǒng) | ||
1.一種接收接口電路,包括:
接收緩沖器,被配置為通過(guò)輸入-輸出節(jié)點(diǎn)接收輸入信號(hào);
電壓產(chǎn)生電路,被配置為基于在輸入-輸出節(jié)點(diǎn)的反射特性,產(chǎn)生至少一個(gè)控制電壓;
接收限制電路,連接到輸入-輸出節(jié)點(diǎn),并且接收限制電路被配置為基于所述至少一個(gè)控制電壓,限制輸入信號(hào)的最大電壓電平和最小電壓電平中的至少一個(gè)。
2.如權(quán)利要求1所述的接收接口電路,其中,接收限制電路包括:
第一反射限制器,連接在輸入-輸出節(jié)點(diǎn)與第一電源電壓之間,并且第一反射限制器被配置為基于所述至少一個(gè)控制電壓中的第一控制電壓,限制輸入信號(hào)的最大電壓電平;
第二反射限制器,連接在輸入-輸出節(jié)點(diǎn)與小于第一電源電壓的第二電源電壓之間,并且第二反射限制器被配置為基于所述至少一個(gè)控制電壓中的第二控制電壓,限制輸入信號(hào)的最小電壓電平。
3.如權(quán)利要求2所述的接收接口電路,其中,
第一反射限制器包括連接在輸入-輸出節(jié)點(diǎn)與第一電源電壓之間的P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體PMOS晶體管,第一控制電壓被施加到PMOS晶體管的柵極,
第二反射限制器包括連接在輸入-輸出節(jié)點(diǎn)與第二電源電壓之間的N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體NMOS晶體管,第二控制電壓被施加到NMOS晶體管的柵極。
4.如權(quán)利要求2所述的接收接口電路,其中,電壓產(chǎn)生電路包括:
第一分壓器,被配置為產(chǎn)生第一控制電壓;
第二分壓器,被配置為產(chǎn)生第二控制電壓。
5.如權(quán)利要求4所述的接收接口電路,其中,第一分壓器包括:
第一電阻器,連接在第一電壓與第一節(jié)點(diǎn)之間;
第二電阻器,連接在第一節(jié)點(diǎn)與低于第一電壓的第二電壓之間;
其中,第一電阻器和第二電阻器中的至少一個(gè)是可變電阻器,使得可變電阻器的阻值基于在輸入-輸出節(jié)點(diǎn)的反射特性而被改變。
6.如權(quán)利要求4所述的接收接口電路,其中,第二分壓器包括:
第三電阻器,連接在第三電壓與第二節(jié)點(diǎn)之間;
第四電阻器,連接在第二節(jié)點(diǎn)與低于第三電壓的第四電壓之間;
其中,第三電阻器和第四電阻器中的至少一個(gè)是可變電阻器,使得可變電阻器的阻值基于在輸入-輸出節(jié)點(diǎn)的反射特性而被改變。
7.如權(quán)利要求2所述的接收接口電路,其中,電壓產(chǎn)生電路包括:
第一電荷泵,被配置為產(chǎn)生第一控制電壓;
第二電荷泵,被配置為產(chǎn)生第二控制電壓。
8.如權(quán)利要求7所述的接收接口電路,其中,第一電荷泵執(zhí)行電壓增加操作,以提供高于第一電源電壓的電壓作為第一控制電壓,第二電荷泵執(zhí)行電壓減小操作,以提供低于第二電源電壓的電壓作為第二控制電壓。
9.如權(quán)利要求2所述的接收接口電路,其中,
第一反射限制器包括連接在輸入-輸出節(jié)點(diǎn)與第一電源電壓之間的PMOS晶體管以及與PMOS晶體管串聯(lián)在輸入-輸出節(jié)點(diǎn)與第一電源電壓之間的上拉電阻,第一控制電壓被施加到PMOS晶體管的柵極,
第二反射限制器包括連接在輸入-輸出節(jié)點(diǎn)與第二電源電壓之間的NMOS晶體管以及與NMOS晶體管串聯(lián)在輸入-輸出節(jié)點(diǎn)與第二電源電壓之間的下拉電阻,第二控制電壓被施加到NMOS晶體管的柵極。
10.如權(quán)利要求1所述的接收接口電路,還包括:
傳輸驅(qū)動(dòng)器,被配置為驅(qū)動(dòng)輸入-輸出節(jié)點(diǎn),
其中,接收限制電路被包括在傳輸驅(qū)動(dòng)器中。
11.如權(quán)利要求1所述的接收接口電路,其中,接收限制電路連接在電源電壓與輸入-輸出節(jié)點(diǎn)之間,接收限制電路基于所述至少一個(gè)控制電壓限制輸入信號(hào)的最大電壓電平。
12.如權(quán)利要求1所述的接收接口電路,其中,接收限制電路連接在地電壓與輸入-輸出節(jié)點(diǎn)之間,接收限制電路基于所述至少一個(gè)控制電壓限制輸入信號(hào)的最小電壓電平。
13.如權(quán)利要求1所述的接收接口電路,其中,接收限制電路執(zhí)行用于限制輸入信號(hào)的最大電壓電平和最小電壓電平中的至少一個(gè)的反射限制功能,并同時(shí)執(zhí)行輸入-輸出節(jié)點(diǎn)的靜電放電保護(hù)功能和終結(jié)功能。
14.如權(quán)利要求1所述的接收接口電路,其中,電壓產(chǎn)生電路還基于所述接收接口電路的眼圖容限和功耗來(lái)產(chǎn)生所述至少一個(gè)控制電壓。
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