[發明專利]一種電子注耦合激勵表面等離子體激元的方法在審
| 申請號： | 201710504943.1 | 申請日： | 2017-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN107121716A | 公開（公告）日： | 2017-09-01 |
| 發明（設計）人： | 龔森 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 成都正華專利代理事務所(普通合伙)51229 | 代理人： | 李林合,李蕊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電子 耦合 激勵 表面 等離子體 方法 | ||
1.一種電子注耦合激勵表面等離子體激元的方法，其特征在于，用電子注激勵周期結構中的仿表面等離子體激元，以激勵出的所述仿表面等離子體激元作為激勵源去耦合激勵媒質元件中的表面等離子體激元，從而獲得所述表面等離子體激元；
其中，所述周期結構是由金、銀或無氧銅制成的，所述周期結構包括多個重復排列的單元，并且相鄰兩個所述單元之間具有縫隙；所述媒質元件是由金屬或石墨烯制成的薄膜。
2.根據權利要求1所述的電子注耦合激勵表面等離子體激元的方法，其特征在于，所述方法包括以下具體步驟：
用設置在所述周期結構一側的電子槍發射所述電子注，所述電子注在所述周期結構上平行運動以激勵出所述周期結構中的所述仿表面等離子體激元；以及
所述仿表面等離子體激元滲透或傳播穿過所述周期結構的所述縫隙，耦合激勵設置在所述周期結構另一側的所述媒質元件中的所述表面等離子體激元。
3.根據權利要求2所述的電子注耦合激勵表面等離子體激元的方法，其特征在于，所述周期結構與所述媒質元件間隔設置，所述周期結構與所述媒質元件之間形成的間隔距離等于所述仿表面等離子體激元的衰減深度與所述表面等離子體激元的衰減深度之和。
4.根據權利要求3所述的電子注耦合激勵表面等離子體激元的方法，其特征在于，所述媒質元件設置于基底上。
5.根據權利要求1-4任一項所述的電子注耦合激勵表面等離子體激元的方法，其特征在于，所述周期結構為透射光柵、孔陣列結構或螺旋線結構。
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