[發明專利]一種量子點發光二極管及制備方法

在審

• 申請號: 201710504303.0
• 申請日: 2017-06-28
• 公開（公告）號: CN107331781A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發明（設計）人: 申懷彬;徐秋蕾;吝青麗;李林松
• 申請（專利權）人: 河南大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京高沃律師事務所11569
• 代理人: 王戈

1.一種量子點發光二極管，其特征在于，所述量子點發光二極管包括：底電極、無機電子傳輸層、量子點發光層、無機空穴傳輸層、頂電極；在所述底電極上設置所述無機電子傳輸層，在所述無機電子傳輸層上設置所述量子點發光層，在所述量子點發光層上設置所述無機空穴傳輸層，在所述無機空穴傳輸層上設置所述頂電極。

2.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述量子點發光二極管還包括：第一無機絕緣層、第二無機絕緣層；

所述第一無機絕緣層設置在所述無機電子傳輸層與所述量子點發光層之間，所述第二無機絕緣層設置在所述量子點發光層與所述無機空穴傳輸層之間。

3.根據權利要求2所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述第一無機絕緣層的材料為氧化鋁、氧化鈣、氧化硅、氧化鎵中至少一種；所述第一無機絕緣層的厚度為2～10nm。

4.根據權利要求2所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述第二無機絕緣層的材料為氧化鋁、氧化鈣、氧化硅、氧化鎵中至少一種；所述第二無機絕緣層的厚度為2～10nm。

5.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述無機電子傳輸層的材料為氧化鋅、氧化鈦、氧化鋯、鎂摻雜氧化鋅、氧化錫中至少一種；所述無機電子傳輸層的厚度10～60nm。

6.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述量子點發光層的材料為II-VI族和/或III-V族元素中半導體化合物中至少一種；所述量子點發光層的厚度為10～45nm。

7.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述無機空穴傳輸層的材料為氧化鎳、氧化鉬、氧化鎢、氧化釩、硫化鉬、硫化鎢、氧化銅中至少一種；所述無機空穴傳輸層的厚度為10～100nm。

8.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述頂電極的厚度為60～150nm。

9.一種量子點發光二極管制備方法，其特征在于，所述方法包括下述步驟：

對底電極依次進行清洗和紫外-臭氧處理機處理，獲得干凈的底電極；

在所述干凈的底電極上利用沉積法獲得無機電子傳輸層；

在所述無機電子傳輸層上利用沉積法獲得第一無機絕緣層；

在所述第一無機絕緣層上利用沉積法獲得量子點發光層；

在所述量子點發光層上利用沉積法獲得第二無機絕緣層；

在所述第二無機絕緣層上利用沉積法獲得無機空穴傳輸層；

在所述無機空穴傳輸層上進行蒸鍍作為頂電極。

10.根據權利要求9所述的量子點發光二極管制備方法，其特征在于，所述沉積法為旋轉涂膜法或原子層沉積法。