[發明專利]一種數字移相器

在審

• 申請號: 201710504187.2
• 申請日: 2017-06-27
• 公開（公告）號: CN107332538A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發明（設計）人: 羅衛軍;孫朋朋;劉輝;張宗敏;耿苗;張蓉
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H03H11/16
• 分類號: H03H11/16
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 任巖

1.一種數字移相器，包括：

GaN基底；以及

數字移相電路，形成于該GaN基底上；

其中，所述數字移相電路采用全通型結構的數字移相電路，該全通型結構的數字移相電路采用AlGaN/GaN異質結的高電子遷移率場效應晶體管作為開關器件。

2.根據權利要求1所述的數字移相器，其中，所述全通型結構的數字移相電路，包括第一開關器件(101)、第二開關器件(106)、第一電容(102)、第二電容(104)、第一電感(103)、第二電感(105)和第三電感(107)，其中：

第一開關器件(101)和第二開關器件(106)均采用場效應晶體管；

第一開關器件(101)的源極依次連接第一電感(103)、第三電感(107)后返回連接第一開關器件(101)的漏極，第一開關器件(101)的源極和第一開關器件(101)的漏極之間并聯第一電容(102)；

第二開關器件(106)的源極連接第二電感(105)后返回連接第二開關器件(106)的漏極；第二開關器件(106)的源極接地；

第二電容(104)，一端連接于第一電感(103)和第三電感(107)中間的位置，一端連接第二開關器件(106)的漏極。

3.根據權利要求2所述的數字移相器，其中，所述第一開關器件(101)和第二開關器件(106)采用的場效應晶體管為具有AlGaN/GaN異質結的高電子遷移率場效應晶體管(HEMT)。

4.根據權利要求3所述的數字移相器，其中，所述具有AlGaN/GaN異質結的高電子遷移率場效應晶體管，包括襯底SiC，其上依次為成核層AlN、異質結AlGaN/GaN中的GaN層、異質結AlGaN/GaN中的AlGaN層。

5.根據權利要求4所述的數字移相器，其中，所述AlGaN層上表面兩端具有源極(S)和漏極(D)。

6.根據權利要求5所述的數字移相器，其中，所述源極(S)和漏極(D)與A1GaN層的接觸均為歐姆接觸，且源極(S)和漏極(D)采用Ti/Al/Ti/Au材料的疊層。

7.根據權利要求4或5所述的數字移相器，其中，所述A1GaN層上表面的中間為柵極(G)。

8.根據權利要求7所述的數字移相器，其中，所述柵極(G)與AlGaN層的接觸為肖特基接觸，且柵極(G)采用Ti/Au材料的疊層。

9.根據權利要求7所述的數字移相器，其中，所述柵極(G)，其柵長為0.25μm，柵寬為8×100μm。

10.根據權利要求4所述的數字移相器，其中，所述GaN層和所述AlGaN層之間還包括插入層AlN，用于促進二維電子氣(2DEG)的激發。