[發明專利]抗電磁干擾的功率器件

有效

• 申請號: 201710502967.3
• 申請日: 2017-06-27
• 公開（公告）號: CN107369683B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 曹峰
• 申請（專利權）人: 蘇州美天網絡科技有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369
• 代理人: 韓飛

1.一種抗電磁干擾的功率器件，其特征在于，包括：

第一導電型的襯底，其底端配置有MOS功率器件的第一漏極，所述襯底上端配置有第一導電型的外延層；

第二導電型的溝道，其間隔配置在所述外延層中；

第二導電型的體區，其配置在所述溝道和外延層上部，其中，所述體區至少覆蓋在兩個相鄰所述溝道的上端形成相鄰體區，所述體區內配置有第一導電型的第一源極，所述相鄰體區之間的上端配置有第一柵極；

其中，所述溝道中至少存在兩個未被所述體區覆蓋的第一獨立溝道和第二獨立溝道，所述第一獨立溝道上部配置有金屬-氧化物半導體場效應管，所述外延層上端絕緣配置有第一電阻，所述金屬-氧化物半導體場效應管的第二漏極和第二柵極同時與所述第一柵極連接，所述金屬-氧化物半導體場效應管的第二源極通過所述第一電阻與所述第一源極共接；

所述金屬-氧化物半導體場效應管至少為2個，每一個金屬-氧化物半導體場效應管獨立配置在一個所述第一獨立溝道中，每一個金屬-氧化物半導體場效應管的各個第二柵極并聯、各個第二漏極并聯、各個第二源極并聯。

2.如權利要求1所述的抗電磁干擾的功率器件，其特征在于，所述外延層上端還絕緣配置有第二電阻，其與所述第一柵極導電連接。

3.如權利要求2所述的抗電磁干擾的功率器件，其特征在于，所述第二獨立溝道上部配置有PN結，所述第二電阻通過所述PN結與所述第一柵極導電連接，所述第二電阻與所述PN結的陽極連接，所述PN結的陰極與所述第一柵極連接。

4.如權利要求3所述的抗電磁干擾的功率器件，其特征在于，所述金屬-氧化物半導體場效應管的第二漏極和第二柵極連接在所述PN結和所述第一柵極的共接端。

5.如權利要求4所述的抗電磁干擾的功率器件，其特征在于，所述第一獨立溝道的上部間隔配置有第一導電型的源區和漏區，所述源區上端設置有所述第二源極，所述漏區上端設置有所述第二漏極，所述源區和漏區上端配置有所述第二柵極。

6.如權利要求5所述的抗電磁干擾的功率器件，其特征在于，所述第二獨立溝道的上部配置有第一導電型的基區，其上部配置有第二導電型的第一區，所述基區上端配置有第一導電型的第二區。

7.如權利要求6所述的抗電磁干擾的功率器件，其特征在于，所述第一導電型為N型，所述第二導電型為P型，所述第一區為所述PN結的陽極，所述第二區為所述PN結的陰極。

8.如權利要求6所述的抗電磁干擾的功率器件，其特征在于，所述第一導電型為P型，所述第二導電型為N型，所述第二區為所述PN結的陽極，所述第一區為所述PN結的陰極。