[發明專利]低損耗半導體功率器件

有效

• 申請號: 201710502152.5
• 申請日: 2017-06-27
• 公開（公告）號: CN107256865B
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發明（設計）人: 曹峰
• 申請（專利權）人: 蘇州美天網絡科技有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369
• 代理人: 韓飛

1.一種低損耗半導體功率器件，其特征在于，包括：

第一導電型的襯底，其底端配置有MOS功率器件的漏極，所述襯底上端配置有第一導電型的外延層；

第二導電型的溝道，其間隔配置在所述外延層中；

第二導電型的體區，其配置在所述溝道和外延層上部，其中，所述體區至少覆蓋在兩個相鄰所述溝道的上端形成相鄰體區，所述體區內配置有第一導電型的源極，所述相鄰體區之間的上端配置有柵極；

其中，所述溝道中至少存在兩個未被所述體區覆蓋的第一獨立溝道和第二獨立溝道，所述第一獨立溝道上部配置有第一PN結，所述外延層上端絕緣配置有第一電阻，所述第一PN結的陽極與所述柵極連接，所述第一PN結的陰極通過所述第一電阻與所述源極共接；

所述第一獨立溝道的上部配置有第一導電型的第一基區，其上部配置有第二導電型的第一區，所述第一基區上端配置有第一導電型的第二區；

所述第二獨立溝道的上部配置有第一導電型的第二基區，其上部配置有第二導電型的第三區，所述第二基區上端配置有第一導電型的第四區。

2.如權利要求1所述的低損耗半導體功率器件，其特征在于，所述外延層上端還絕緣配置有第二電阻，其與所述柵極導電連接。

3.如權利要求2所述的低損耗半導體功率器件，其特征在于，所述第二獨立溝道上部配置有第二PN結，所述第二電阻通過所述第二PN結與所述柵極導電連接，所述第二電阻與所述第二PN結的陽極連接，所述第二PN結的陰極與所述柵極連接。

4.如權利要求3所述的低損耗半導體功率器件，其特征在于，所述第一PN結的陽極連接在所述第二PN結和所述柵極的共接端。

5.如權利要求4所述的低損耗半導體功率器件，其特征在于，所述第一導電型為N型，所述第二導電型為P型，所述第一區為所述第一PN結的陽極，所述第二區為所述第一PN結的陰極，所述第三區為所述第二PN結的陽極，所述第四區為所述第二PN結的陰極。

6.如權利要求4所述的低損耗半導體功率器件，其特征在于，所述第一導電型為P型，所述第二導電型為N型，所述第二區為所述第一PN結的陽極，所述第一區為所述第一PN結的陰極，所述第四區為所述第二PN結的陽極，所述第三區為所述第二PN結的陰極。

7.如權利要求5或6所述的低損耗半導體功率器件，其特征在于，所述第一PN結至少為2個，每一個第一PN結獨立配置在一個所述第一獨立溝道中，每一個第一PN結的陽極與陽極并聯、陰極與陰極并聯。