[發明專利]一種薄膜晶體管、薄膜晶體管的制作方法及電子設備

在審

• 申請號: 201710500216.8
• 申請日: 2017-06-27
• 公開（公告）號: CN107134527A
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發明（設計）人: 徐曉娜
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,劉偉

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

形成在襯底基板上的有源層和光感應層；

其中，所述光感應層與所述有源層相接觸，從而構成異質結，使得所述光感應層受近紅外光照射后能夠產生流向所述有源層的載流子。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述光感應層的形成材料包括：PBDTT、PC61BM、P3HT、PEDOT和PSS中的一者或任意幾者的組合。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述有源層的形成材料包括：IGZO。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：

源漏金屬圖形；

所述光感應層設置在所述有源層遠離所述源漏金屬圖形的一側，或者所述光感應層圖形設置在有源層靠近所述源漏金屬圖形的一側，且所述光感應層圖形在襯底基板的正投影與所述源漏金屬圖形在襯底基板上的正投影存在不重疊的區域。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：

形成在襯底基板上的柵電極和柵絕緣層，所述柵絕緣層設置在所述光感應層與所述柵電極之間。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述柵電極位于所述光感應層遠離所述襯底基板的一側；

所述柵電極的形成材料包括：NiCr、Au和Pt中的一者或任意幾者的組合。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述柵電極在平行于所述襯底基板的截面上，至少有一部分呈為V型，且該V型的部分的設置區域與所述光感應層的設置區域正對設置。

8.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成源漏金屬圖形、有源層和光感應層的步驟；

其中，所述光感應層與所述有源層構成異質結，從而使得所述光感應層受近紅外光照射后能夠產生流向所述有源層的載流子。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，還包括：

在襯底基板上依次形成柵絕緣層和柵電極的步驟；

其中，所述柵絕緣層設置在所述光感應層與所述柵電極之間。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，

在襯底基板上形成不同層的源漏金屬圖形、有源層和光感應層的步驟，包括：

在形成柵絕緣層和柵電極的步驟前，在襯底基板上依次形成的源漏金屬圖形、有源層，之后使用薄膜晶體管的保護層的掩膜工藝，在襯底基板上形成光感應層，使得所述光感應層作為所述保護層。