[發(fā)明專利]二次電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710499582.6 | 申請日： | 2017-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN107546343B | 公開（公告）日： | 2022-01-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金真歡;崔誠鉉;李東明 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星SDI株式會社 |
| 主分類號： | H01M50/102 | 分類號： | H01M50/102;H01M50/105;H01M50/133;H01M50/124;H01M50/126;H01M50/129 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 二次 電池 | ||
1.一種二次電池，包括：
電極組件；以及
容納所述電極組件的層壓外殼，所述層壓外殼包括：
彼此間隔開的一對長邊彎曲部分，
彼此間隔開的一對短邊彎曲部分，所述長邊彎曲部分的曲率半徑大于所述短邊彎曲部分的曲率半徑，以及
在相應(yīng)的長邊彎曲部分與短邊彎曲部分之間的拐角彎曲部分，以及
其中所述拐角彎曲部分的曲率半徑在所述長邊彎曲部分的曲率半徑與所述短邊彎曲部分的曲率半徑之間的范圍內(nèi)，以及
其中所述長邊彎曲部分的曲率半徑是所述短邊彎曲部分的曲率半徑的1.1倍至3倍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其中所述短邊彎曲部分的深度大于所述長邊彎曲部分的深度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其中所述拐角彎曲部分的深度在所述短邊彎曲部分的深度與所述長邊彎曲部分的深度之間的范圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其中所述層壓外殼還包括平面的第一外殼部分和被所述第一外殼部分覆蓋的第二外殼部分，所述第二外殼部分具有用于容納所述電極組件的凹陷。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二次電池，其中所述第二外殼部分包括：
遠(yuǎn)離所述第一外殼部分延伸的延伸區(qū)域，以及
連接到所述延伸區(qū)域并與所述第一外殼部分平行的平面區(qū)域，所述長邊彎曲部分和所述短邊彎曲部分在所述延伸區(qū)域和所述平面區(qū)域相遇的區(qū)域處，以及所述拐角彎曲部分在所述延伸區(qū)域和所述平面區(qū)域彼此相交的拐角處。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其中所述拐角彎曲部分的厚度小于所述長邊彎曲部分的厚度或所述短邊彎曲部分的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其中所述長邊彎曲部分的曲率半徑和所述短邊彎曲部分的曲率半徑是變化的曲率半徑。
8.一種二次電池，包括：
電極組件；以及
容納所述電極組件的層壓外殼，所述層壓外殼包括：
彼此間隔開的一對長邊彎曲部分，
彼此間隔開的一對短邊彎曲部分，以及
在相應(yīng)的長邊彎曲部分與短邊彎曲部分之間的拐角彎曲部分，所述拐角彎曲部分的厚度小于所述長邊彎曲部分的厚度或所述短邊彎曲部分的厚度，
其中所述拐角彎曲部分的厚度是所述長邊彎曲部分的厚度或所述短邊彎曲部分的厚度的0.8倍至0.9倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的二次電池，其中所述層壓外殼包括在金屬層的相反表面上的絕緣層，以及所述金屬層的與所述拐角彎曲部分對應(yīng)的部分的厚度小于所述金屬層的與所述長邊彎曲部分或所述短邊彎曲部分對應(yīng)的部分的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的二次電池，其中所述長邊彎曲部分的曲率半徑大于所述短邊彎曲部分的曲率半徑。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的二次電池，其中所述拐角彎曲部分的曲率半徑在所述長邊彎曲部分的曲率半徑與所述短邊彎曲部分的曲率半徑之間的范圍。
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