[發(fā)明專利]金屬互連線工藝角建模方法

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• 申請日: 2017-06-27
• 公開（公告）號: CN109145329A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設計）人: 李高林
• 申請（專利權）人: 上海卓弘微系統(tǒng)科技有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種生成精確的互連線R、C工藝角解析模型的方法，其特征在于改變傳統(tǒng)互連線工藝角模型方法PRCA方法中設置的偏移量(skew值)，通過解析方程和統(tǒng)計模擬生成新的skew表達式，獲得與實際結果相近的更為精確的互連線工藝角模型。步驟包括：

(1)由半導體制造公司提供的工藝角文件(如ITF文件)確定互連線工藝參數(shù)G的統(tǒng)計信息,即G的均值或是typical工藝角的值μ_G和標準差σ_G。

(2)設置一全局的偏移量skew，令互連線工藝參數(shù)G滿足G＝μ_G+σ_G·skew。

(3)確定互連線電學參數(shù)(電阻R、電容C、及RC乘積)關于互連線工藝參數(shù)G的解析表達式R＝F(G),C＝Y(G)，RC＝X(G)，并采用一階Taylor展開式獲得R、C和RC的線性逼近方程。例如

(4)將R、C和RC關于其工藝參數(shù)展開后獲得展開系數(shù)a_i，即可通過如下的解析表達式計算偏移量skew

(5)計算一組不同線寬W_i的skew_i值

(6)利用Monte Carlo模擬方法分別計算該組線寬W_i所對應的一組R_i、C_i和(RC)_i的統(tǒng)計信息(均值μ和標準差σ)，確定實際的R_i、C_i和(RC)_i的最大與最小值，即μ_i+3σ_i，μ_i-3σ_i。

(7)利用Monte Carlo方法計算出的實際的R_i、C_i和(RC)_i的最大與最小值采用數(shù)值計算反推出對應于實際的最大最小值時工藝參數(shù)的偏移量skew_{i_real}。

(8)采用線性回歸技術(linear regression)以步驟(7)的計算結果skew_{i_real}為基準，對步驟(4)和(5)計算的skew_i值進行微調，給出微調系數(shù)a,b。

(9)建立新的skew表達式從而建立精確的互連線工藝角模型。

2.根據(jù)權利要求1所述的生成精確的互連線R、C工藝角解析模型的方法，其特征是所述步驟(1)中，互連線工藝參數(shù)G代表的是某一互連線層如M2層互連線的線寬W，線間距S，線高度T、M2層與上層金屬層M3層的介質厚度H1及M2層與下層金屬層M1層的介質厚度H2。各工藝參數(shù)G均被假定為正太分布變量，因此具有均值μ_G和標準差σ_G(如W具有均值μ_W和標準差σ_W)，其中W，T，H1&H2為獨立變量，S與W被假定為負相關。

3.根據(jù)權利要求1所述的生成精確的互連線R、C工藝角解析模型的方法，其特征是所述步驟(2)中，skew并不一定等于-3和+3，而是[-3:3]區(qū)間中的某一個值。

4.根據(jù)權利要求1所述的生成精確的互連線R、C工藝角解析模型的方法，其特征是所述步驟(4)中R，C及RC分別具有不同的skew表達式。

5.根據(jù)權利要求1所述的生成精確的互連線R、C工藝角解析模型的方法，其特征是所述步驟(4)中的skew表達式是關于線寬W的函數(shù)，即不同的線寬有不同的skew值。

6.根據(jù)權利要求1所述的生成精確的互連線R、C工藝角解析模型的方法，其特征是所述步驟(9)中的skew表達式對應于不同的金屬層，不同的線寬，和不同的電學參數(shù)。并且在不同的工藝角如worst corner和best corner有不同的skew值。