[發(fā)明專利]提高氮化物外延層耐壓特性的緩沖層生長(zhǎng)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710499314.4
• 申請(qǐng)日: 2017-06-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107516629B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏遠(yuǎn)洋;李亦衡;朱廷剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/20
• 分類號(hào): H01L21/20
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛(wèi);王樺

1.一種提高氮化物外延層耐壓特性的緩沖層生長(zhǎng)方法，其特征在于：包括在襯底上表面以第一溫度生長(zhǎng)低溫緩沖層，第一溫度上升至第二溫度生長(zhǎng)高溫緩沖層，所述的緩沖層原料為氮化鋁，所述的第一溫度在600-750℃，所述的第一溫度生長(zhǎng)低溫緩沖層的時(shí)間1-1800s，和/或所述的低溫緩沖層生長(zhǎng)的厚度為1-50nm，所述的第一溫度升至所述的第二溫度的時(shí)間為1-60 min，所述的第二溫度在1000-1200攝氏度，在第一溫度上升至第二溫度的過(guò)程中持續(xù)通入緩沖層原料，所述的第二溫度生長(zhǎng)高溫緩沖層的時(shí)間1-3600s，和/或所述的高溫緩沖層生長(zhǎng)的厚度為1-300nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高氮化物外延層耐壓特性的緩沖層生長(zhǎng)方法，其特征在于：所述的第二溫度在1050-1150℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高氮化物外延層耐壓特性的緩沖層生長(zhǎng)方法，其特征在于：所述的第一溫度升至所述的第二溫度的時(shí)間為5-10 min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高氮化物外延層耐壓特性的緩沖層生長(zhǎng)方法，其特征在于：所述的第一溫度生長(zhǎng)低溫緩沖層的時(shí)間10-60s，和/或所述的低溫緩沖層生長(zhǎng)的厚度為1-10nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高氮化物外延層耐壓特性的緩沖層生長(zhǎng)方法，其特征在于：所述的第二溫度生長(zhǎng)高溫緩沖層的時(shí)間600-3000s，和/或所述的高溫緩沖層生長(zhǎng)的厚度為50-250 nm。