[發明專利]制造聲波裝置的方法和聲波裝置

有效

• 申請號: 201710499132.7
• 申請日: 2017-06-27
• 公開（公告）號: CN107547060B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 中村健太郎;松倉史彌;高橋直樹;松田隆志;宮下勉
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H03H3/08
• 分類號: H03H3/08;H03H9/25;H03H9/64
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;楊薇

1.一種制造聲波裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

在壓電基板上形成梳狀電極和聯接到所述梳狀電極的布線層；

在所述壓電基板上形成第一電介質膜，該第一電介質膜具有比所述梳狀電極和所述布線層的厚度大的膜厚度，覆蓋所述梳狀電極和所述布線層，所述第一電介質膜由摻雜有其他元素的氧化硅或未經摻雜的氧化硅形成；

在所述第一電介質膜上形成第二電介質膜，該第二電介質膜具有比所述第一電介質膜的厚度小的膜厚度；

在所述第二電介質膜上形成抗蝕膜，該抗蝕膜在所述布線層上方具有第一開口；

通過使用所述抗蝕膜作為掩膜蝕刻所述第二電介質膜來在所述第二電介質膜中形成位于所述布線層上方的第二開口，使得所述第一電介質膜殘留；以及

通過使用所述抗蝕膜作為掩膜并且通過使用蝕刻液的濕法蝕刻去除由所述第二電介質膜的所述第二開口露出的所述第一電介質膜，該蝕刻液使得所述第二電介質膜的蝕刻速率小于所述第一電介質膜的蝕刻速率，使得所述第一電介質膜殘存以覆蓋所述布線層的端面和所述梳狀電極。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，

形成所述第二開口的步驟包括在所述第二電介質膜中的既未形成所述梳狀電極也未形成所述布線層的區域上方形成所述第二開口和第三開口，并且

所述去除所述第一電介質膜的步驟包括去除由所述第二電介質膜的所述第二開口和所述第三開口露出的所述第一電介質膜，使得所述第一電介質膜殘存以覆蓋所述布線層的端面并沿著所述布線層的端面延伸。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，

去除所述第一電介質膜的步驟包括去除所述第一電介質膜，使得所述第一電介質膜在既未形成所述梳狀電極也未形成所述布線層的區域中作為突出部而殘存。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，

形成所述第二電介質膜的步驟包括形成具有厚膜部的所述第二電介質膜，該厚膜部在通過去除所述第一電介質膜而形成的第四開口的周圍形成并且具有比所述第二電介質膜的除所述厚膜部之外的其余部分的厚度大的厚度。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，

形成所述第二電介質膜的步驟包括形成具有如下的所述厚膜部的所述第二電介質膜：由于對所述第二電介質膜進行干法蝕刻而在該厚膜部的側壁附了殘渣物。

6.一種制造聲波裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

在壓電基板上形成梳狀電極和聯接到所述梳狀電極的布線層；

在所述壓電基板上形成第一電介質膜，該第一電介質膜具有比所述梳狀電極和所述布線層的厚度大的膜厚度，并且覆蓋所述梳狀電極和所述布線層，所述第一電介質膜由摻雜有其他元素的氧化硅或未經摻雜的氧化硅形成；

在所述第一電介質膜上形成第二電介質膜，該第二電介質膜具有比所述第一電介質膜的厚度小的膜厚度，所述第二電介質膜包含氧化鉭、氧化鈮、氧化鎢、氧化鈦、氧化碲、氧化鋁、氮化硅、氮化鋁以及碳化硅中的至少一種；

在所述第二電介質膜上形成抗蝕膜，該抗蝕膜在所述布線層上方具有第一開口；

通過使用所述抗蝕膜作為掩膜蝕刻所述第二電介質膜來在所述第二電介質膜中形成位于所述布線層上方的第二開口，使得所述第一電介質膜殘留；以及

通過使用所述抗蝕膜作為掩膜并且通過使用氫氟酸基蝕刻液的濕法蝕刻去除由所述第二電介質膜的所述第二開口露出的所述第一電介質膜，使得所述第一電介質膜殘存以覆蓋所述布線層的端面和所述梳狀電極。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，

形成所述第二開口的步驟包括在所述第二電介質膜中的既未形成所述梳狀電極也未形成所述布線層的區域上方形成所述第二開口和第三開口，并且

所述去除所述第一電介質膜的步驟包括去除由所述第二電介質膜的所述第二開口和所述第三開口露出的所述第一電介質膜，使得所述第一電介質膜殘存以覆蓋所述布線層的端面并沿著所述布線層的端面延伸。