[發明專利]一種Micro LED顯示器件的制備方法

有效

• 申請號: 201710499014.6
• 申請日: 2017-06-27
• 公開（公告）號: CN107331758B
• 公開（公告）日: 2019-03-05
• 發明（設計）人: 孫小衛;王愷;劉召軍;王立鐸;郝俊杰;劉皓宸
• 申請（專利權）人: 南方科技大學
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 唐致明

1.一種Micro LED顯示器件的制備方法，包括在基板上制備多個Micro LED芯片的步驟，其特征在于，還包括以下步驟：

制備或取一基材，所述基材包括襯底和覆于所述襯底上的吸熱材料層；

在所述吸熱材料層上涂覆量子點材料；

將所述基材放置于所述Micro LED芯片上方，且所述量子點材料朝向所述Micro LED芯片；

采用激光束陣列照射所述基材，各束所述激光束分別與部分或全部所述Micro LED芯片一一對應，所述吸熱材料層在激光照射下發生形變，將所述量子點材料轉移至所述MicroLED芯片的上表面。

2.根據權利要求1所述的Micro LED顯示器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

制備或取一基材一，所述基材一包括襯底一和覆于所述襯底一上的吸熱材料層一；

在所述吸熱材料層一上涂覆量子點材料一；

將所述基材一放置于所述Micro LED芯片上方，且所述量子點材料一朝向所述MicroLED芯片；

采用激光束陣列一照射所述基材一，所述激光束陣列一分別與一部分所述Micro LED芯片一一對應，所述吸熱材料層一在激光照射下發生形變，將所述量子點材料一轉移至這部分所述Micro LED芯片的上表面；

再制備或取一基材二，所述基材二包括襯底二和覆于所述襯底二上的吸熱材料層二；

在所述吸熱材料層二上涂覆量子點材料二；

將所述基材二放置于所述Micro LED芯片上方，且所述量子點材料二朝向所述MicroLED芯片；

采用激光束陣列二照射所述基材二，所述激光束陣列二分別與另一部分所述MicroLED芯片一一對應，所述吸熱材料層二在激光照射下發生形變，將所述量子點材料二轉移至這部分所述Micro LED芯片的上表面。

3.根據權利要求2所述的Micro LED顯示器件的制備方法，其特征在于，所述量子點材料是通過噴墨打印、浸蘸、涂布、覆膜或激光打印中任一種工藝涂覆于所述吸熱材料上的。

4.根據權利要求2所述的Micro LED顯示器件的制備方法，其特征在于，所述量子點材料是通過旋涂工藝涂覆于所述吸熱材料上的。

5.根據權利要求1所述的Micro LED顯示器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

制備或取一基材，所述基材包括襯底和覆于所述襯底上的吸熱材料層；

在所述吸熱材料層上涂覆離散的量子點材料一和量子點材料二，所述量子點材料一與一部分所述Micro LED芯片一一對應；所述量子點材料二與另一部分所述Micro LED芯片一一對應；

采用激光束陣列照射所述基材，各束所述激光束分別與部分或全部所述Micro LED芯片一一對應，所述吸熱材料層在激光照射下發生形變，將所述量子點材料一和量子點材料二轉移至所述Micro LED芯片的上表面。

6.根據權利要求5所述的Micro LED顯示器件的制備方法，其特征在于，所述量子點材料是采用激光打印或噴墨打印工藝涂覆于所述吸熱材料上的。

7.根據權利要求2-6任一項所述的Micro LED顯示器件的制備方法，其特征在于，所述Micro LED芯片為藍色Micro LED芯片，所述量子點材料一為紅色量子點材料，所述量子點材料二為綠色量子點材料。

8.根據權利要求1-6任一項所述的Micro LED顯示器件的制備方法，其特征在于，所述激光束陣列是由激光照射掩模板形成，所述掩模板包括不透光部分和透光部分，所述透光部分與部分或全部所述Micro LED芯片一一對應。

9.根據權利要求1-6任一項所述的Micro LED顯示器件的制備方法，其特征在于，所述激光束陣列是通過光纖形成。