[發明專利]一種磷化銦多晶材料的清洗方法

在審

• 申請號: 201710497976.8
• 申請日: 2017-06-27
• 公開（公告）號: CN107338481A
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發明（設計）人: 關活明
• 申請（專利權）人: 臺山市華興光電科技有限公司
• 主分類號: C30B35/00
• 分類號: C30B35/00
• 代理公司: 廣州科粵專利商標代理有限公司44001
• 代理人: 蔣歡妹,莫瑤江

技術領域：

本發明涉及半導體材料，具體涉及一種磷化銦多晶材料的清洗方法。

背景技術：

磷化銦(InP)晶體是重要的化合物半導體材料，與砷化鎵(GaAs)相比，其優越性主要在于高的飽和電場飄移速度、導熱性好以及較強的抗輻射能力等，因此磷化銦晶片通常用于新型微電子、光電子元器件制造。在軍事上應用于電子對抗、電子戰、精確制導、預警探測、衛星通訊、雷達領域。在民事上應用于是無線通訊、光通訊、光信息處理、工業自動控制、醫療器械、激光技術、電子計算機、電子通信、電視廣播、紅外線科技以及更為先進的微波傳導，激光開關，醫療診斷和治療，及航天事業，生物及數據處理及許多其它領域。

美國貝爾實驗室的Monberg等人在1980年代中期首先將VGF-垂直溫度梯度結晶生長法(溫梯法)技術應用于III-V化合物半導體單晶的生長。該方法因為生長速度較慢，生長過程能保證InP單晶的化學配比，溫度梯度很小，晶體所受應力較小，可以生長出位錯密度非常低的單晶材料。

采用多溫場加熱控溫技術，使得加熱爐形成適合晶體生長的溫度梯度，從而使得熔化在豎立坩堝中磷化銦多晶材料由經置于坩堝底部籽晶，緩慢地由下向上結晶放大成所需要的晶體尺寸，因而過程中需要加入磷化銦多晶碎料。但在空氣中，磷化銦(InP)材料表面容易被氧化、又有碳等的沾污，這些直接影響由它制作的器件的壽命和其他特性。

發明內容：

本發明的目的是提供一種磷化銦多晶材料的清洗方法。

本發明是通過以下技術方案予以實現的：

一種磷化銦多晶材料的清洗方法，該方法包括以下步驟：

1)先將磷化銦多晶晶錠放入乙醇中浸泡以清洗材料上的塵埃，然后放入溫度為60℃丙酮中浸泡3-10分鐘，用去離子水沖洗或者用小刷子刷洗去除表面黑膠；然后放入溫度為70℃的醋酸中浸泡去除粘膠；接著用#100金鋼沙紙去除所有痕跡，磨圓材料邊得到粗產品；

2)將步驟1)得到的粗產品放入由氨水、過氧化氫和去離子水組成的混合溶劑中浸泡2小時，取出后用去離子水沖洗，超聲波清洗20分鐘，然后放入盛甲醇的敝口容器中清洗，取出晾放讓甲醇蒸發得到清洗后的磷化銦多晶材料；所述混合溶劑中，氨水的質量分數為28％-35％，過氧化氫的質量分數為30-35％。

本發明的有益效果如下：本發明能在15小時內去除掉磷化銦多晶材料表面雜質，如鐵、鎂、鈣、銅、膠質、涂料等。本發明得到的產品純度：對重金屬清洗潔凈度≤10PPM。

具體實施方式：

以下是對本發明的進一步說明，而不是對本發明的限制。

實施例1：

本實施例磷化銦多晶晶錠購自英國廠家IQE Europe晶片公司，其在北京的代理商為北京東方佳氣科技有限公司。

磷化銦多晶材料的清洗方法，包括以下步驟：

1)先將磷化銦多晶晶錠放入乙醇中浸泡以清洗材料上的塵埃，然后放入溫度為60℃丙酮中浸泡3-10分鐘，用去離子水沖洗或者用小刷子刷洗去除表面黑膠；然后放入溫度為70℃的醋酸中浸泡去除粘膠；接著用#100金鋼沙紙去除所有痕跡，磨圓材料邊得到粗產品；

2)將步驟1)得到的粗產品放入由氨水、過氧化氫和去離子水組成的混合溶劑中浸泡2小時，取出后用去離子水沖洗，超聲波清洗20分鐘，然后放入盛甲醇的敝口容器中清洗，取出晾放讓甲醇蒸發得到清洗后的磷化銦多晶材料；所述混合溶劑中，氨水的質量分數為28％-35％，過氧化氫的質量分數為30-35％。

本發明能在15小時內去除掉磷化銦多晶材料表面雜質，如鐵、鎂、鈣、銅、膠質、涂料等。本發明得到的產品純度：對重金屬清洗潔凈度≤10PPM。