[發明專利]提高芯片充分接地和散熱的焊接方法在審
| 申請號: | 201710497802.1 | 申請日: | 2017-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN107708328A | 公開(公告)日: | 2018-02-16 |
| 發明(設計)人: | 汪寧;費文軍;陳興盛;李金晶;孟慶賢;俞昌忠;方航;張慶燕;李小亮 | 申請(專利權)人: | 安徽華東光電技術研究所 |
| 主分類號: | H05K3/34 | 分類號: | H05K3/34 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識產權代理有限公司32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 241002 安徽省蕪*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 提高 芯片 充分 接地 散熱 焊接 方法 | ||
1.提高芯片充分接地和散熱的焊接方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟SS1:制備錫球;
步驟SS2:向電路板上芯片焊盤的焊盤接地孔中填充所述步驟SS1中的所述錫球;
步驟SS3:加熱使所述步驟SS2中的焊盤接地孔中的所述錫球熔化。
2.根據權利要求1所述的提高芯片充分接地和散熱的焊接方法,其特征在于,所述步驟SS1中具體包括:在顯微鏡下,將焊錫絲用手術刀切割成多個類似球狀物,所述類似球狀物的大小小于等于電路板上芯片焊盤的焊盤接地孔的孔徑。
3.根據權利要求2所述的提高芯片充分接地和散熱的焊接方法,其特征在于,所述焊錫絲的溫度為183℃。
4.根據權利要求1所述的提高芯片充分接地和散熱的焊接方法,其特征在于,所述步驟SS2具體包括:在顯微鏡下,用鑷子夾取所述錫球逐個放入到電路板上芯片焊盤的焊盤接地孔內,直至所述電路板上芯片焊盤的焊盤接地孔內填充滿所述錫球。
5.根據權利要求1所述的提高芯片充分接地和散熱的焊接方法,其特征在于,所述步驟SS3具體包括:將電路板放置在加熱平臺上加熱,使所述電路板上芯片焊盤的焊盤接地孔內的錫球熔化,直至所述電路板上芯片焊盤的焊盤接地孔內充滿焊錫。
6.根據權利要求5所述的提高芯片充分接地和散熱的焊接方法,其特征在于,所述加熱平臺的加熱溫度為210±5℃。
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