[發(fā)明專利]數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法、設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710497674.0
• 申請(qǐng)日: 2017-06-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109119106B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉位彬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中興通訊股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C7/10
• 分類號(hào): G11C7/10;G11C13/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 姜春咸;馮建基

本發(fā)明公開(kāi)了一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法、設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法包括：獲取存儲(chǔ)器的當(dāng)前擦除頻度，并根據(jù)所述當(dāng)前擦除頻度，對(duì)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)搬移閾值進(jìn)行調(diào)整；根據(jù)調(diào)整后的數(shù)據(jù)搬移閾值，對(duì)數(shù)據(jù)塊進(jìn)行搬移。本方案中數(shù)據(jù)搬移閾值作為存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)塊的搬移觸發(fā)條件，當(dāng)前擦除頻度表征存儲(chǔ)器的當(dāng)前擦除次數(shù)，數(shù)據(jù)塊搬移時(shí)，需要進(jìn)行相應(yīng)的擦除操作，從而通過(guò)存儲(chǔ)器的當(dāng)前擦除頻度，可獲知存儲(chǔ)器的實(shí)際搬移次數(shù)，進(jìn)而根據(jù)當(dāng)前擦除頻度，調(diào)整數(shù)據(jù)搬移閾值，以便對(duì)數(shù)據(jù)塊進(jìn)行搬移操作，在搬移的過(guò)程中，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行充電，對(duì)浮柵電荷進(jìn)行補(bǔ)充，避免數(shù)據(jù)丟失，延長(zhǎng)存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的保存時(shí)間。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明主要涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，涉及一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法、設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)

在通訊設(shè)備領(lǐng)域，Nand-flash存儲(chǔ)器以其大容量、高吞吐、低功耗、耐震、發(fā)熱量小的優(yōu)點(diǎn)，越來(lái)越被用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)。隨著廠商的半導(dǎo)體工藝的不斷升級(jí)，以及為了滿足對(duì)日益增長(zhǎng)的容量需求，Nand-flash存儲(chǔ)器的工藝尺寸不斷縮小。但是Nand-flash存儲(chǔ)器是基于浮柵電荷存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的保存，隨著工藝尺寸不斷縮小，Nand-flash存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元浮柵結(jié)構(gòu)的幾何尺寸不斷縮小，導(dǎo)致絕緣層越來(lái)越薄，電荷泄漏越來(lái)越嚴(yán)重，浮柵電荷數(shù)量減少，而浮柵電荷的丟失將會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)錯(cuò)誤產(chǎn)生，使數(shù)據(jù)保持能力嚴(yán)重下降，數(shù)據(jù)保存時(shí)間越來(lái)越短。

同時(shí)，Nand-flash存儲(chǔ)器還有一個(gè)技術(shù)缺陷就是讀干擾，由于Nand-flash的存儲(chǔ)單元是串聯(lián)在一起的，當(dāng)讀出某一存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)時(shí)，需要給其它單元施加電壓使其導(dǎo)通。施加的電壓雖然比較低，但也可能促使少量電荷注入或泄漏，從而影響了數(shù)據(jù)的保存時(shí)間。也就是說(shuō)，即使數(shù)據(jù)保存在一個(gè)地方不搬移，也會(huì)因?yàn)樽x取附近的數(shù)據(jù)而導(dǎo)致其出錯(cuò)。

現(xiàn)有的解決方案是增加ECC(Error Correction Code)可糾錯(cuò)比特?cái)?shù)來(lái)提升糾錯(cuò)能力。但增加可糾錯(cuò)比特?cái)?shù)，糾錯(cuò)電路復(fù)雜度呈級(jí)數(shù)增加，所以可糾錯(cuò)比特?cái)?shù)是很有限的。隨著Nand-flash存儲(chǔ)器工藝尺寸不斷縮小，數(shù)據(jù)保存時(shí)間的增加，數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的產(chǎn)生會(huì)爆發(fā)式增長(zhǎng)，一旦超出可糾錯(cuò)范圍，將無(wú)法糾正。能否提高Nand-flash存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力，將影響Nand-flash存儲(chǔ)器能否作為未來(lái)工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)解決方案的關(guān)鍵。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的是提供一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法、設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，旨在解決現(xiàn)有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的有效存儲(chǔ)時(shí)間短、易出錯(cuò)的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法，所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法包括以下步驟：

獲取存儲(chǔ)器的當(dāng)前擦除頻度，并根據(jù)所述當(dāng)前擦除頻度，對(duì)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)搬移閾值進(jìn)行調(diào)整；

根據(jù)調(diào)整后的數(shù)據(jù)搬移閾值，對(duì)數(shù)據(jù)塊進(jìn)行搬移。

優(yōu)選地，所述根據(jù)所述當(dāng)前擦除頻度，對(duì)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)搬移閾值進(jìn)行調(diào)整的步驟包括：

根據(jù)存儲(chǔ)器中預(yù)設(shè)的擦除頻度與數(shù)據(jù)搬移閾值映射關(guān)系參考值，獲取與當(dāng)前擦除頻度對(duì)應(yīng)的參考數(shù)據(jù)搬移閾值；

將數(shù)據(jù)搬移閾值調(diào)整為參考數(shù)據(jù)搬移閾值。

優(yōu)選地，所述根據(jù)調(diào)整后的數(shù)據(jù)搬移閾值，對(duì)數(shù)據(jù)塊進(jìn)行搬移的步驟包括：

統(tǒng)計(jì)存儲(chǔ)器中各數(shù)據(jù)塊增加的擦除次數(shù)，并判斷是否存在目標(biāo)數(shù)據(jù)塊，其中目標(biāo)數(shù)據(jù)塊為增加的擦除次數(shù)大于或等于調(diào)整后的數(shù)據(jù)搬移閾值的數(shù)據(jù)塊；

當(dāng)存在所述目標(biāo)數(shù)據(jù)塊時(shí)，對(duì)目標(biāo)數(shù)據(jù)塊進(jìn)行搬移。

優(yōu)選地，所述當(dāng)存在所述目標(biāo)數(shù)據(jù)塊時(shí)，對(duì)目標(biāo)數(shù)據(jù)塊進(jìn)行搬移的步驟包括：

當(dāng)存在目標(biāo)數(shù)據(jù)塊時(shí)，獲取數(shù)據(jù)塊中擦除次數(shù)最少的數(shù)據(jù)塊，并將所述擦除次數(shù)最少的數(shù)據(jù)塊作為待交換數(shù)據(jù)塊；

將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)塊和待交換數(shù)據(jù)塊交換，完成數(shù)據(jù)塊的搬移。