[發明專利]高頻率高精度超聲理療發生器在審
| 申請號： | 201710497436.X | 申請日： | 2017-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN107126639A | 公開（公告）日： | 2017-09-05 |
| 發明（設計）人： | 隆志力;何榮華;門暄玉;張小兵;李祚華 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學深圳研究生院 |
| 主分類號： | A61N7/00 | 分類號： | A61N7/00 |
| 代理公司： | 深圳市千納專利代理有限公司44218 | 代理人： | 陳培瓊 |
| 地址： | 518000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 頻率 高精度 超聲 理療 發生器 | ||
1.一種高頻率高精度超聲理療發生器，其特征在于，其包括單片機模塊、DDS信號生成模塊、功率放大模塊、阻抗匹配模塊、信號采集與控制模塊和電路保護模塊；所述DDS信號生成模塊、功率放大模塊、阻抗匹配模塊和超聲換能器依次相連接，該超聲換能器與信號采集與控制模塊相連接，所述單片機模塊分別與DDS信號生成模塊、電路保護模塊和信號采集與控制模塊相連接。
2.根據權利要求1所述的高頻率高精度超聲理療發生器，其特征在于，所述單片機模塊為采用32位以上的數字單片機。
3.根據權利要求1所述的高頻率高精度超聲理療發生器，其特征在于，所述單片機模塊為采用Cortex-M3架構的ARM微處理器。
4.根據權利要求1所述的高頻率高精度超聲理療發生器，其特征在于，所述功率放大模塊為采用MOS晶體管組成的半波電路。
5.根據權利要求1所述的高頻率高精度超聲理療發生器，其特征在于，所述功率放大模塊為由兩個IRF510PbF大功率晶體管構成的半波式諧振電路。
6.根據權利要求1所述的高頻率高精度超聲理療發生器，其特征在于，所述阻抗匹配模塊包括電容C1、電容C2、電感L1和電感L2，電容C1、電感L1和電感L2依次串聯，電容C2的一端分別與電感L1和電感L2相連接，另一端分別與功率放大模塊和電壓電流信號采集模塊相連接。
7.根據權利要求6所述的高頻率高精度超聲理療發生器，其特征在于，所述電感L1和電感L2的電感值均為2.3μH，電容C1的電容值為470nF，電容C2的電容值為8.25nF。
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