[發明專利]一種半導體二極管器件封裝結構

有效

• 申請號: 201710496014.0
• 申請日: 2017-06-26
• 公開（公告）號: CN107492578B
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 鄭劍華;蘇建國;沈艷梅
• 申請（專利權）人: 南通華隆微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L31/048
• 分類號: H01L31/048;H01L31/049;H01L31/08;H01L31/0203
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1.一種半導體二極管器件封裝結構，其特征在于：所述半導體二極管器件封裝結構包括依次層疊的鋼化玻璃板、樹脂復合材料膠膜、半導體二極管器件層、金屬-樹脂復合材料膠膜以及背板；

所述樹脂復合材料膠膜包括依次層疊的靠近所述半導體二極管器件層的第一乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物層、第一硅膠樹脂粘結層、聚對苯二甲酸乙二醇酯基層、第二硅膠樹脂粘結層以及第一乙烯-四氟乙烯共聚物層，其中所述聚對苯二甲酸乙二醇酯基層中開設有多個貫穿所述聚對苯二甲酸乙二醇酯基層的通孔，所述通孔中填充有第一環氧樹脂粘結加強柱，所述第一環氧樹脂粘結加強柱連接所述第一硅膠樹脂粘結層和所述第二硅膠樹脂粘結層；

所述金屬-樹脂復合材料膠膜包括依次層疊的靠近所述半導體二極管器件層的第二乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物層、第三硅膠樹脂粘結層、金屬基層、第四硅膠樹脂粘結層以及第二乙烯-四氟乙烯共聚物層，其中所述金屬基層中開設有多個貫穿所述金屬基層的通孔，所述通孔中填充有第二環氧樹脂粘結加強柱，所述第二環氧樹脂粘結加強柱連接所述第三硅膠樹脂粘結層和所述第四硅膠樹脂粘結層；

其中，所述第一乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物層的厚度為200-400微米，所述第一硅膠樹脂粘結層和所述第二硅膠樹脂粘結層的厚度范圍為400-800納米，所述聚對苯二甲酸乙二醇酯基層的厚度為300-500微米，所述第一乙烯-四氟乙烯共聚物層的厚度為100-200微米，所述聚對苯二甲酸乙二醇酯基層中的多個通孔呈矩陣排列；

其中，所述第二乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物層的厚度為100-500微米，所述第三硅膠樹脂粘結層和所述第四硅膠樹脂粘結層的厚度為500-900納米，所述金屬基層的厚度為600-900微米，所述第二乙烯-四氟乙烯共聚物層的厚度為100-300微米，所述金屬基層中的多個通孔呈矩陣排列。

2.根據權利要求1所述的半導體二極管器件封裝結構，其特征在于：所述金屬基層的材質為鋁、銅和不銹鋼中的一種。

3.根據權利要求1所述的半導體二極管器件封裝結構，其特征在于：所述半導體二極管器件層中的半導體二極管器件為太陽能電池或光電探測器。

4.根據權利要求1所述的半導體二極管器件封裝結構，其特征在于：所述背板為金屬背板或TPT背板。