[發明專利]一種功率半導體器件的RESURF終端結構在審
| 申請號： | 201710495643.1 | 申請日： | 2017-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN107104136A | 公開（公告）日： | 2017-08-29 |
| 發明（設計）人： | 任敏;李佳駒;羅蕾;林育賜;李澤宏;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232 | 代理人： | 敖歡,葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功率 半導體器件 resurf 終端 結構 | ||
1.一種功率半導體器件的RESURF終端結構，其特征在于：包括陰極金屬電極(1)、陰極金屬電極(1)上方的第一導電類型重摻雜半導體襯底(2)、第一導電類型重摻雜半導體襯底(2)上方的第一導電類型半導體輕摻雜漂移區(3)、第一導電類型半導體輕摻雜漂移區(3)上表面的場氧化層(8)、位于所述場氧化層(8)上表面或者左側的場板(9)、覆蓋所述場板(9)和場氧化層(8)的硼磷硅玻璃層(10)；所述第一導電類型半導體輕摻雜漂移區(3)內部左上方為第二導電類型半導體主結(4)；所述第二導電類型半導體主結(4)上表面一側與陽極金屬電極(11)電位相接；所述第一導電類型半導體輕摻雜漂移區(3)內部還具有第二導電類型半導體輕摻雜RESURF層(5)；所述第二導電類型半導體輕摻雜RESURF層(5)與第一導電類型半導體輕摻雜漂移區(3)上表面之間設有第一導電類型半導體輕摻雜區(6)；所述第一導電類型半導體輕摻雜漂移區(3)內部右上方還具有第一導電類型半導體重摻雜截止環(7)；所述第二導電類型半導體輕摻雜RESURF層(5)的一側與第二導電類型半導體主結(4)相連；所述場板(9)的左側邊界超過第二導電類型半導體輕摻雜RESURF層(5)與第二導電類型半導體主結(4)的交界面；所述第二導電類型半導體輕摻雜RESURF層(5)與第二導電類型半導體主結(4)相連，第二導電類型半導體輕摻雜RESURF層(5)的摻雜類型與第二導電類型半導體主結(4)相同，第二導電類型半導體輕摻雜RESURF層(5)的摻雜濃度低于第二導電類型半導體主結(4)。
2.根據權利要求1所述的一種功率半導體器件的RESURF終端結構，其特征在于：所述場板(9)為多晶硅場板，其一端與陽極金屬(11)相連，另一端與第一導電類型半導體重摻雜截止環(7)電位相連。
3.根據權利要求2所述的一種功率半導體器件的RESURF終端結構，其特征在于：場氧化層(8)、場板(9)、硼磷硅玻璃(10)的上表面被金屬(15)部分覆蓋。
4.根據權利要求1所述的一種功率半導體器件的RESURF終端結構，其特征在于：所述場板(9)為半絕緣多晶硅場板或阻性場板，場板(9)一端與陽極金屬(11)相接、另一端與第一導電類型半導體重摻雜截止環(7)電位相連，金屬(15)部分覆蓋場氧化層(8)、場板(9)、硼磷硅玻璃(10)。
5.根據權利要求1所述的一種功率半導體器件的RESURF終端結構，其特征在于：所述第二類導電類型半導體輕摻雜RESURF層(5)為均勻摻雜的第二類導電類型的半導體。
6.根據權利要求1所述的一種功率半導體器件的RESURF終端結構，其特征在于：所述第二類導電類型半導體輕摻雜RESURF層(5)為漸變摻雜，第二類導電類型半導體輕摻雜RESURF層(5)包括不同摻雜濃度的子段(51、52……5n)，子段的濃度從所述第二導電類型半導體主結(4)向終端外側依次降低。
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