[發明專利]一種溴化鑭閃爍晶體的生長方法及所得晶體

有效

• 申請號: 201710494746.6
• 申請日: 2017-06-26
• 公開（公告）號: CN107287657B
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: 王海麗;陳建榮;黃存新;楊春和;韓加紅
• 申請（專利權）人: 北京中材人工晶體研究院有限公司
• 主分類號: C30B29/12
• 分類號: C30B29/12;C30B11/02
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王文君;王文紅

1.一種溴化鑭閃爍晶體的生長方法，其特征在于，包括以下操作：將原料裝入坩堝內，坩堝封口后放置于下降爐中進行加熱熔化，然后坩堝不動，爐體緩慢移動，從而使坩堝通過溫度梯度區，使原料在坩堝底部結晶，隨著爐體的連續移動，晶體沿著與爐體運動相同的方向逐漸長大；

其中，將坩堝放置于兩段控溫下降爐的上溫區，上溫區的溫度升至850～880℃，下溫區的溫度升至720～780℃，恒溫10～24h，使原料完全熔化；

所述爐體以500～5000mm/h的速度上升至坩堝底位于梯度區，然后以0.5～3mm/h的速度向上移動爐體，進行晶體生長；

晶體生長結束后，停止移動爐體，在低溫區原位退火10～20h后，以15～50℃/h的速度降至室溫，取出晶體；

所述原料為溴化鑭和摻雜的鹽，所述摻雜的鹽為溴化鈰、氯化鈰、氟化鈰中的一種，溴化鑭和摻雜的鹽的摩爾比例為100-x：x。

2.根據權利要求1所述的生長方法，其特征在于，所述坩堝為石英坩堝，或為內襯鉑金筒的石英坩堝。

3.根據權利要求1所述的生長方法，其特征在于，所述溴化鑭和摻雜的鹽的摩爾比例為95:5。

4.根據權利要求1～3任一項所述的生長方法，其特征在于，所述溴化鑭的質量為500-1500g。

5.權利要求1所述的生長方法，其特征在于，包括步驟：

1)原料的稱取：采用無水、純度99.99％的LaBr₃和CeBr₃為原料，在手套箱內按比例稱取LaBr₃和CeBr₃，在研缽中混合均勻，然后裝于預先處理好的石英坩堝中；

2)坩堝熔封：將坩堝從手套箱中取出后迅速抽真空，并封口；

3)晶體生長：將坩堝置于兩段控溫下降爐內，進行化料、向上移動爐體生長和降溫，生長結束后，將晶體從下降爐中取出。