[發(fā)明專利]OLED器件、OLED顯示裝置及OLED器件的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710494714.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107331788B | 公開(公告)日: | 2019-01-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 代青 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 劉悅晗;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 器件 顯示裝置 制備 方法 | ||
1.一種OLED器件,包括形成在襯底基板上的像素界定層和有機(jī)發(fā)光功能層,所述有機(jī)發(fā)光功能層位于所述像素界定層的開口區(qū)域內(nèi),包括噴墨打印方式制備的有機(jī)發(fā)光材料,其特征在于,
所述OLED器件還包括形成在所述襯底基板上的第一輔助電極層和第二輔助電極層,所述第一輔助電極層和第二輔助電極層同層設(shè)置在所述像素界定層和所述襯底基板之間,用于在所述像素界定層的開口區(qū)域內(nèi)形成電場(chǎng),使所述有機(jī)發(fā)光材料中的有機(jī)發(fā)光分子在所述電場(chǎng)作用下定向排列。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述第一輔助電極層和第二輔助電極層分別連接直流電源的正極和負(fù)極;
所述第一輔助電極層和第二輔助電極層具體用于,使所述有機(jī)發(fā)光材料中的有機(jī)發(fā)光分子水平排列。
3.如權(quán)利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述第一輔助電極層和第二輔助電極層的材料為以下之一或任意組合:鋁、鉬、釹、銀。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的OLED器件,其特征在于,還包括第一電極層,所述第一電極層位于所述有機(jī)發(fā)光功能層和所述襯底基板之間,并分別與所述第一輔助電極層和第二輔助電極層間隙設(shè)置。
5.如權(quán)利要求4所述的OLED器件,其特征在于,所述第一電極層為陽極層或陰極層。
6.一種OLED顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的OLED器件。
7.一種OLED器件制備方法,其特征在于,用于制備如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的OLED器件,所述方法包括以下步驟:
通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成第一輔助電極層和第二輔助電極層的圖形;
通過一次構(gòu)圖工藝在所述第一輔助電極層和第二輔助電極層上形成像素界定層的圖形;
在所述像素界定層的開口區(qū)域打印有機(jī)發(fā)光材料,對(duì)所述有機(jī)發(fā)光材料進(jìn)行干燥,并向所述第一輔助電極層和第二輔助電極層加載電信號(hào),以使所述有機(jī)發(fā)光材料中的有機(jī)發(fā)光分子在所述第一輔助電極層和第二輔助電極層形成的電場(chǎng)的作用下定向排列。
8.如權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述向所述第一輔助電極層和第二輔助電極層加載電信號(hào),具體包括:
將所述第一輔助電極層和第二輔助電極層分別連接直流電源的正極和負(fù)極,并開啟所述直流電源。
9.如權(quán)利要7所述的方法,其特征在于,所述向所述第一輔助電極層和第二輔助電極層加載電信號(hào),具體包括:
在所述有機(jī)發(fā)光材料干燥預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)后,向所述第一輔助電極層和第二輔助電極層加載電信號(hào)。
10.如權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述通過一次構(gòu)圖工藝在所述第一輔助電極層和第二輔助電極層上形成像素界定層的圖形之前,所述方法還包括:
通過一次構(gòu)圖工藝在所述襯底基板上形成第一電極層的圖形,所述第一電極層分別與所述第一輔助電極層和第二輔助電極層間隙設(shè)置。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于京東方科技集團(tuán)股份有限公司,未經(jīng)京東方科技集團(tuán)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710494714.6/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





