[發明專利]顯示裝置、顯示裝置的制造方法有效
| 申請號: | 201710494167.1 | 申請日: | 2017-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN107591423B | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 濱田夕慎;秋元肇 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 邸萬杰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,其具有呈矩陣狀配置有多個發光元件的顯示區域,該顯示裝置的特征在于,具有:
以覆蓋所述多個發光元件的方式設置的第1無機絕緣層;
設置在所述第1無機絕緣層上的第1有機絕緣層;
設置在所述第1有機絕緣層上的第2有機絕緣層;
設置在所述第2有機絕緣層上的第3有機絕緣層;和
設置在所述第3有機絕緣層上的第2無機絕緣層;
所述第1有機絕緣層至所述第3有機絕緣層的端部分別位于所述第1無機絕緣層和所述第2無機絕緣層的端部與所述顯示區域的端部之間,
所述第2有機絕緣層的端部位于所述第1有機絕緣層的端部與所述顯示區域的端部之間,在俯視時,所述第1有機絕緣層的端部從所述第2有機絕緣層露出,
所述第3有機絕緣層的端部位于所述第1無機絕緣層和所述第2無機絕緣層的端部與所述第2有機絕緣層的端部之間,所述第3有機絕緣層覆蓋所述第1有機絕緣層的端部和所述第2有機絕緣層的端部,
所述第3有機絕緣層的端部的從截面看時的楔形角小于所述第1有機絕緣層的端部的從截面看時的楔形角和所述第2有機絕緣層的端部的從截面看時的楔形角,
所述第1無機絕緣層和所述第2無機絕緣層的端部位于比所述顯示區域和所述第1有機絕緣層至所述第3有機絕緣層的端部靠外側的位置,
所述顯示裝置還具有用于形成觸摸傳感器的配線層,該配線層設置在所述第2無機絕緣層上,并且從所述顯示區域延伸至所述第3有機絕緣層的端部的外側。
2.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于:
所述第1無機絕緣層和所述第2無機絕緣層在所述第3有機絕緣層的端部的外側相互接觸。
3.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于:
在所述第1有機絕緣層與所述第2有機絕緣層之間還具有第3無機絕緣層,
在所述第2有機絕緣層與所述第3有機絕緣層之間還具有第4無機絕緣層。
4.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于:
所述第1有機絕緣層至所述第3有機絕緣層的端部的頂點部分具有圓角。
5.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于:
所述配線層在與所述顯示區域重疊的區域具有第1線寬,在與所述第1有機絕緣層至所述第3有機絕緣層的端部交叉的區域具有比所述第1線寬粗的第2線寬。
6.一種顯示裝置的制造方法,其特征在于,包括下述工序:
以覆蓋呈矩陣狀配置有多個發光元件的顯示區域的方式形成第1無機絕緣層,
在所述第1無機絕緣層上形成第1有機絕緣層,
在所述第1有機絕緣層和所述第1無機絕緣層上,形成在所述第1有機絕緣層的端部與所述顯示區域的端部之間具有端部的第2有機絕緣層,在俯視時,所述第1有機絕緣層的端部從所述第2有機絕緣層露出,
在所述第1有機絕緣層、所述第2有機絕緣層和所述第1無機絕緣層上,形成在所述第1有機絕緣層的端部與所述第1無機絕緣層的端部之間具有端部的第3有機絕緣層,所述第3有機絕緣層覆蓋所述第1有機絕緣層的端部和所述第2有機絕緣層的端部,
在所述第3有機絕緣層和所述第1無機絕緣層上,形成在所述第3有機絕緣層的外側具有端部的第2無機絕緣層,
所述第3有機絕緣層的端部的從截面看時的楔形角小于所述第1有機絕緣層的端部的從截面看時的楔形角和所述第2有機絕緣層的端部的從截面看時的楔形角,
在所述第2無機絕緣層上形成導電層,
通過使用第1掩模對所述導電層進行蝕刻來形成配線層,該配線層用于形成觸摸傳感器,該配線層設置在所述第2無機絕緣層上,并且從所述顯示區域延伸至所述第3有機絕緣層的端部的外側。
7.如權利要求6所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于:
在形成所述第1有機絕緣層后且在形成所述第2有機絕緣層前,形成第3無機絕緣層,
在形成所述第2有機絕緣層后且在形成所述第3有機絕緣層前,形成第4無機絕緣層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社日本顯示器,未經株式會社日本顯示器許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710494167.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體封裝件和形成該半導體封裝件的方法
- 下一篇:半導體器件及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





