[發明專利]一種識別單顆產品在QFN框架上位置信息的方法有效
| 申請號: | 201710493427.3 | 申請日: | 2017-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN107221509B | 公開(公告)日: | 2020-10-13 |
| 發明(設計)人: | 王玲;彭林源 | 申請(專利權)人: | 南京矽邦半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 呂朦 |
| 地址: | 210000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 識別 產品 qfn 框架 位置 信息 方法 | ||
1.一種識別單顆產品在QFN框架上位置信息的方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:將QFN引線框架上的QFN產品進行排列,對每個QFN產品定義一個單顆排列矩陣,同一QFN引線框架上的不同QFN產品的單顆排列矩陣不同;所述單顆排列矩陣的整個矩陣中只有一個元素是蝕刻點;
S2:在單顆QFN產品的芯片基座增加蝕刻的點,得到蝕刻的點的排列矩陣,且蝕刻的點的排列矩陣與步驟S1中單顆FNQ產品的單顆排列矩陣相對應;在單顆QFN產品的芯片基座增加蝕刻的點的方法為干蝕刻或濕蝕刻中的一種;
S3:分別獲取步驟S1中單顆QFN產品在引線框架上單顆排列矩陣的位置信息與步驟S2中單顆QFN產品芯片基座增加蝕刻的點的排列矩陣的位置信息,將分別獲取的兩種位置信息相對應;然后取消待識別的單顆QFN產品在芯片基座相對應位置的蝕刻點;
S4:檢查單顆QFN產品在芯片基座增加蝕刻的點的排列矩陣,獲取檢查結果,獲取單顆QFN產品芯片基座增加蝕刻的點的排列矩陣中缺少的蝕刻點的位置信息,并將所述缺少的蝕刻點的位置信息與QFN框架上的單顆QFN產品的位置信息相對應,得到單顆QFN產品在QFN框架上面的位置。
2.根據權利要求1所述的識別單顆產品在QFN框架上位置信息的方法,其特征在于,所述識別單顆產品在QFN框架上位置信息的方法可實現對有特殊產品位置要求的實驗。
3.根據權利要求1所述的識別單顆產品在QFN框架上位置信息的方法,其特征在于,QFN框架上共有N行M列單顆產品,排列矩陣為N×M的矩陣。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





