[發明專利]一種封裝防溢保護方法在審
| 申請號: | 201710493319.6 | 申請日: | 2017-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN109148307A | 公開(公告)日: | 2019-01-04 |
| 發明(設計)人: | 陸宇 | 申請(專利權)人: | 上海卓弘微系統科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/67 |
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| 地址: | 201399 上海市浦東新區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 防溢 激光監測 保護膜 封裝 塑料填充物 塑料填充 引腳框架 下邊沿 塑封 物流 引腳 填充 裸露 金屬 保證 | ||
本發明提供了一種QFN封裝防溢保護方法。塑封時,當塑料填充物流到防溢保護膜下邊沿處的激光監測點處時,停止塑料填充物的填充,保證引腳金屬完整地裸露在外面。可以改變防溢保護膜相對于引腳框架的外延長度以及激光監測點的位置,實現對不同的封裝防溢保護的要求。
技術領域
本發明涉及用于電子電路的封裝,具體而言,涉及QFN封裝防溢保護方法。
背景技術
QFN(Quad Flat No-lead Package,方形扁平無引腳封裝),是一種無引腳封裝,呈正方形或矩形,封裝底部中央位置 QFN封裝的芯片有一個大面積裸露的焊盤,具有導熱的作用,在大焊盤的封裝外圍有實現電氣連接的導電焊盤。在數字信號高速傳輸中,現代大批量生產的數字產品需要把對時序控制達到皮秒的范圍。該時序不僅要維持在硅片級上,而且需維持在物理尺寸更大的封裝上。封裝互連中有金線,基板的金屬線,過孔和轉角,樁線,焊球等,在低頻信號中,往往將它們視為簡單的傳輸線。系統工作頻率很高時,將器件互連的導線不應再看做一根簡單的對信號透明的導線,而是一個有時延和瞬間阻抗分布寄生元件,它會產生延時,可能會引起信號波形失真、干擾等。由于QFN封裝不像傳統的SOIC與TSOP封裝那樣具有鷗翼狀引線,內部引腳與焊盤之間的導電路徑短,自感系數以及封裝體內布線電阻很低,所以,它能提供卓越的電性能,可以在一定程度上避免上述因為封裝結構中各部件的寄生效應引起的信號波形失真、干擾等。此外,它還通過外露的引線框架焊盤提供了出色的散熱性能,該焊盤具有直接散熱的通道,用于釋放封裝內的熱量。由于體積小、重量輕,加上杰出的電性能和熱性能,這種封裝特別適合任何一個對尺寸、重量和性能都有要求的應用。目前QFN封裝體在一般手機及筆記本電腦已大量被采用。但由于塑封過程中可能會出現的溢漏,會把部分QFN封裝管腳包裹在塑封體中造成這些管腳無法正常進行電互連。因此需要一種方法避免這樣的現象的發生。
發明內容
本發明提供了一種QFN封裝防溢保護方法,以避免在進行塑封過程時塑封體發生溢漏對QFN封裝引腳造成的封閉。
本發明的一個實施例提供了一種QFN封裝防溢新的保護方法,以在塑封過程中對QFN封裝引腳外露部分實施保護。
本發明中包括防溢保護膜以及防溢保護監測裝置。防溢保護膜緊緊粘貼在QFN外露引腳框架表面,并相對于QFN外露引腳框架有一定的外延長度,在塑封過程中塑封材料到達QFN外露引腳框架位置時只可以于防溢保護膜接觸而不會觸及到QFN外露引腳框架。該防溢保護膜可方便地在塑封結束后通過物理方法從引腳框架表面完全摘除,此時,QFN外露引腳框架再次外露與空氣中。防溢保護膜上有監測點,監測點的位置可根據塑封材料與塑封條件的改變而改變。防溢保護監測裝置,采用無線感應器件監測防溢保護膜預置監測點處的物理量的變化。防溢保護監測裝置可根據防溢保護膜的物理特性改變監測物理量。防溢保護監測裝置可根據防溢保護膜相對于引腳框架的外延長度改變防溢保護膜的監測點的位置。防溢保護監測裝置可根據防溢保護膜的物理特性及防溢保護膜相對于引腳框架的外延長度改變防溢保護膜的監測點的位置,并實時返回監測結果。
該保護方法包含緊緊粘貼在QFN引腳框架表面的防溢保護膜,該種保護膜可方便地在塑封結束后通過物理方法從引腳框架表面完全摘除。該保護方法還包括外圍檢測裝置,該裝置通過監視防溢保護膜表面的物質來實現防溢保護的目的。
附圖說明
圖1是常規封裝塑封過程的結構示意圖;
圖2是本發明一種QFN封裝防溢保護方法的實現示意圖;
圖3是本發明一種QFN封裝防溢保護方法的流程示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





