[發明專利]高壓MOS功率器件終端特性仿真等效模型

在審

• 申請號: 201710492493.9
• 申請日: 2017-06-26
• 公開（公告）號: CN109117487A
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 沈立
• 申請（專利權）人: 上海卓弘微系統科技有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明對于高壓深Trench的MOS器件終端仿真，提出一種等效仿真模型（圖1）。其特點是：由與原終端Trench等距等寬度的PN結組成，并且各部分參雜種類和濃度相同，可以大致模擬出原終端橫向的崩潰電壓。其好處在于：能較快找到符合要求終端的大致結構，等效結構簡單，仿真程序簡單，仿真速度快，節約時間成本。非90度角Trench器件的終端，某一深度的橫向崩潰電壓，亦可由此模型模擬，此時，等效模型中的PN結寬度由該深度下器件的Trench寬度與距離確定。

技術領域

本發明涉及半導體器件仿真領域，具體為一種高壓MOS器件終端仿真的等效模型。

背景技術

現今，半導體器件技術飛速發展，性能日新月異，體積越來越小，需求持續增長，器件設計所需要的時間成本成為制約產品競爭力的重要因素。

高壓器件在半導體器件中占有重要地位，具有比常規器件更好的耐壓性能，能夠應用于特殊的環境，市場需求量很大，并且在持續增長。

高壓器件除了設計器件區的MOS管外，絕大部分的設計成本都用在了器件終端仿真設計上，期間終端能分擔工作區MOS管的電壓，提高整個器件的性能。

為了改善器件終端的設計效率，有必要提出一種更加有效的終端仿真設計方案。

發明內容

本發明是在普通高壓MOS器件終端仿真的基礎上，提出一種等效仿真模型，其目的在于快速得出大致的目標終端結構，提高原終端仿真的效率，縮短器件仿真所需要的時間。

此等效模型由與原終端Trench等距等寬度的PN結組成，并且各部分參雜種類和濃度與原終端相同。

非90度角Trench器件的終端，某一深度的橫向崩潰電壓，亦可由此模型模擬。

采用本發明中的等效模型，與原終端模擬比較，結構簡單，工藝步驟少，所需占用的硬件資源少，能節省大量的仿真時間，加快整個產品上市所需要的時間。

附圖說明

圖1是普通高壓MOS器件終端的原理圖；

圖2是等效模型的原理同；

圖3是非90度trench的高壓MOS器件終端原理圖。

具體實施方式

為使本發明的上述特征、目的和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。由于本發明重在解釋原理，因此，未完全按比例制圖。

實施例：一種高壓MOS器件終端仿真的等效模型。

本發明對于高壓深Trench的MOS器件（圖1）終端仿真，提出一種等效仿真模型（圖2）。其特點是：由與原終端Trench等距等寬度的PN結組成，并且各部分參雜種類和濃度相同，可以大致模擬出原終端橫向的崩潰電壓。非90度角Trench器件的終端（圖3），某一深度的橫向崩潰電壓，亦可由此模型模擬，此時，等效模型中的PN結寬度由該深度下器件的Trench寬度與距離確定。

上述實施例只為對本發明的內容做一個詳細的說明，其目的在于讓本領域的技術人員熟悉本發明的具體內容并據以實施。凡未脫離本發明的精神實質所做的任何等效變化或修飾，都應屬于本發明的保護范圍之內。